VQ1000P
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Vishay VQ1000P

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型号

VQ1000P

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-VQ1000P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

VQ1000P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay stock available at utmel

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VQ1000P详情

Vishay VQ1000P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    14

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    IN-LINE, R-PDIP-T14

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    VQ1000P

  • Turn-on Time-Max (ton)

    10 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Drain Current-Max (ID)

    0.025 A

  • Risk Rank

    5.24

  • Turn-off Time-Max (toff)

    10 ns

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    4

  • Manufacturer

    Vishay Intertechnologies

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    快速切换

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDIP-T14

  • 配置

    SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.225 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    1 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2 W

0个相似型号

VQ1000P拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

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