Vishay VQ2001J

表面安装

NO

质量

1.200007 g

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

VQ2001J

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

泰美半导体

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TEMIC SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

0.6 A

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

快速切换

最大功率耗散

1.3 W

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

4

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

-30 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

600 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

2 Ω

宽度

7.11 mm

高度

3.81 mm

长度

19.3 mm