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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 外壳材料 | Date Of Intro | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 参考标准 | JESD-30代码 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 反馈上限-最大值 (Crss) | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Intertechnologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | YES | 4 | SILICON | 1 | 2016-07-19 | 有 | 活跃 | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | , | 58 A | 175 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 52 ns | 29 ns | EAR99 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | AEC-Q101 | R-PSSO-G4 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-CHANNEL | 0.00735 Ω | 230 A | 40 V | 61 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 48 W | 140 pF |
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