Vishay Semiconductor 1N6282AHE3/54

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Breakdown Voltage / V

28.5 V

Power Dissipation (Max)

1.5 kW

Reverse Stand-off Voltage

25.6 V

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

NOT APPLICABLE

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N6282AHE3/54

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

威世半导体

Breakdown Voltage-Nom

30 V

Risk Rank

5.25

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

瞬态抑制器

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

25.6 V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

极性

单向

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1 µA

箝位电压

41.4 V

峰值脉冲电流

36.2 A

最大浪涌电流

36.2 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

Rep Pk反向电压-最大值

25.6 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

无

击穿电压-最小值

28.5 V

最大箝位电压

41.4 V

击穿电压-最大值

31.5 V

最小击穿电压

28.5 V

RoHS状态

符合RoHS标准