Vishay Semiconductor Opto Division 4N35

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

Breakdown Voltage / V

30V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

70mW

基本部件号

4N35

审批机构

BSI, FIMKO, UL

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

70mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

正向电流

50mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

100mA

上升时间

3μs

正向电压

1.5V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

反向击穿电压

6V

最大输入电流

60mA

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

10mA

接通 / 关断时间（典型值）

10μs, 10μs

反向电压(直流电)

6V

电流传输比

50 %

宽度

8.6mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅