RGF1D-E3
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Vishay Semiconductors RGF1D-E3

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型号

RGF1D-E3

utmel 编号

2668-RGF1D-E3

商品类别

二极管 - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

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RGF1D-E3
RGF1D-E3 Vishay Semiconductors DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

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RGF1D-E3详情

Vishay Semiconductors RGF1D-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    威世半导体

  • Part Package Code

    DO-214BA

  • Package Description

    R-PDSO-C2

  • Forward Voltage-Max (VF)

    1.3 V

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 应用

    GENERAL PURPOSE

  • 附加功能

    自由旋转二极管

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    250

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDSO-C2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    接收电极

  • 输出电流-最大值

    1 A

  • 相位的数量

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    200 V

  • JEDEC-95代码

    DO-214BA

  • 最大非代表Pk前进电流

    30 A

  • 反向恢复时间-最大值

    0.15 μs

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技术文档: Vishay Semiconductors RGF1D-E3.

RGF1D-E3拓展信息

MB4S/30
MB4S/30

Vishay

20CJQ100PBF
VS-31DQ10-M3
SS15HE3_B/H
60CPU02-F
60CPU02-F

Vishay

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