VISHAY SEMICONDUCTORS SI7356DP-T1

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-C5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.003Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

达到SVHC

compliant