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WeEn Semiconductors WG40N65DFWQ
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WG40N65DFWQ
2700-WG40N65DFWQ
晶体管 - IGBT - 模块
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大陆
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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
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WG40N65DFWQ详情
WeEn Semiconductors WG40N65DFWQ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
40A
Case
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20V
Pulsed collector current
120A
Mounting
THT
Kind of package
tube
Turn-on time
95ns
Turn-off time
378ns
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gross weight
5.985g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
125W
Gate charge
173nC
WG40N65DFWQ拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。