WeEn Semiconductors WNSC5D08650X6Q

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

供应商器件包装

TO-220AC

Package

Tube

Base Product Number

WNSC5

厂商

威恩半导体

Product Status

活跃

系列

-

技术

SiC (Silicon Carbide) Schottky

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向泄漏电流@ Vr

40 µA @ 650 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7 V @ 8 A

工作温度 - 结点

-55°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

650 V

平均整流电流（Io）

8A

电容@Vr, F

267pF @ 1V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns