注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
RC55C-59KCI
品牌
Welwyn
utmel 编号
2709-RC55C-59KCI
商品类别
无类别的
封装
TO-251-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RC55C-59KCI datasheet pdf and Unclassified product details from Welwyn stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
RC55C-59KCI详情
技术参数
Welwyn RC55C-59KCI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Unit Weight
0.011993 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5040
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FQU2N90TU_AM002
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
15 nC
Tradename
QFET
Rds On - Drain-Source Resistance
7.2 Ohms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
1.7 A
系列
包装
Tube
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
RC55C-59KCI拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)