W71NW11GF1EW详情
Winbond W71NW11GF1EW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
121-WFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
121-WFBGA (8x8)
终端数量
121
Package
Tray
Base Product Number
W71NW11
厂商
Winbond Electronics
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile, Volatile
Package Code
8x8x0.8
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
29 MHz, 533 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
1.95 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
4500
Supply Voltage-Min
1.14 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Winbond
Brand
Winbond
RoHS
Details
Package Description
8 X 8 MM, 0.80 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, WFBGA-121
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
W71NW11GF1EW
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Shape
SQUARE
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
WINBOND ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.67
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
类型
NAND Based MCP
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
Memory & Data Storage
技术
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
JESD-30代码
S-PBGA-B121
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
内存大小
1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
267 MHz
访问时间
25 ns
内存格式
FLASH, RAM
内存接口
-
数据总线宽度
16 bit
组织结构
64 M x 16
座位高度-最大
0.8 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
-
产品类别
多芯片封装
记忆密度
1073741824 bit
内存IC类型
LPDDR2
产品
NAND-Based MCP
混合内存类型
NAND + LPDDR2
产品类别
多芯片封装
组织的记忆
-
宽度
8 mm
长度
8 mm
达到SVHC
compliant
W71NW11GF1EW拓展信息








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