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Winbond W71NW11GF1EW

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  • 对比

型号

W71NW11GF1EW

品牌

Winbond

utmel 编号

2736-W71NW11GF1EW

商品类别

无类别的

封装

121-WFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Memory Circuit, 64MX16, CMOS, PBGA121, 8 X 8 MM, 0.80 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, WFBGA-121

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W71NW11GF1EW Winbond Memory Circuit, 64MX16, CMOS, PBGA121, 8 X 8 MM, 0.80 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, WFBGA-121

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W71NW11GF1EW详情

技术参数

Winbond W71NW11GF1EW重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    121-WFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    121-WFBGA (8x8)

  • 终端数量

    121

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    W71NW11

  • 厂商

    Winbond Electronics

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Non-Volatile, Volatile

  • Package Code

    8x8x0.8

  • Moisture Sensitive

    有

  • Maximum Clock Frequency

    29 MHz, 533 MHz

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Supply Voltage-Max

    1.95 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    4500

  • Supply Voltage-Min

    1.14 V

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    Winbond

  • Brand

    Winbond

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    8 X 8 MM, 0.80 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, WFBGA-121

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    64000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    W71NW11GF1EW

  • Number of Words

    67108864 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Shape

    SQUARE

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WINBOND ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.67

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    -

  • 类型

    NAND Based MCP

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B121

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 内存大小

    1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    267 MHz

  • 访问时间

    25 ns

  • 内存格式

    FLASH, RAM

  • 内存接口

    -

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织结构

    64 M x 16

  • 座位高度-最大

    0.8 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 产品类别

    多芯片封装

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • 内存IC类型

    LPDDR2

  • 产品

    NAND-Based MCP

  • 混合内存类型

    NAND + LPDDR2

  • 产品类别

    多芯片封装

  • 组织的记忆

    -

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    8 mm

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

W71NW11GF1EW拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS