Wuxi NCE Power Semiconductor NCE85H21

包装/外壳

TO-220(TO-220-3)

包装

Tube-packed

场效应管类型

N 沟槽

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8 mΩ @ 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250uA

漏源电压 (Vdss)

85V

25°C时的连续漏极电流（Id）。

210A Tc

功率耗散-最大值(Ta)

310W Tc

RoHS状态

符合RoHS标准