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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	组织结构	输出特性	无卤素	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	访问时间（最大）	并行/串行	字长	写入保护	数据轮询	拨动位	扇区/尺寸数	行业规模	页面尺寸	准备就绪/忙碌	引导模块	座位高度(最大)	长度
GS8662T20BD-450M	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 125 C	1.9 V	- 55 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	未说明	0.45 ns	125 °C	无	GS8662T20BD-450M	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73	Military grade					450 MHz	FBGA	DDR		Tray		GS8662T20BD						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165			1.9 V		MILITARY	1.7 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS						Pipelined	4 M x 18			1.4 mm	18		22 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Military		PARALLEL				DDR SRAM						SRAM		15 mm	13 mm
GS8673ED36BK-675I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	1.3 V	Synchronous	2 MWords	36 Bit	1.4 V	表面贴装	有	675 MHz	+ 100 C	1.4 V	- 40 C	8	1.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-IIIe	DDR	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	2000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8673ED36BK-675I	1.35 V	HBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.81	Industrial grade					675/450 MHz	BGA	QDR	1.3500 V	-40 to 85 °C	Tray		GS8673ED36BK						3A991.B.2.B	SigmaQuad-IIIe B4					8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				260	R-PBGA-B260			1.4 V			1.3 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS		3.17 A				Pipelined	2 M x 36			2.3 mm	36		19 Bit	SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Industrial		PARALLEL				DDR SRAM						SRAM		22 mm	14 mm
GS880E18CGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks			TQFP-100	YES		100	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	66	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS880E18CGT-150V	150 MHz	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	QFP	Commercial grade		0 to 70 °C	Tray		GS880E18CGT	e3	有				3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant				100	R-PQFP-G100	不合格		2 V	1.8/2.5 V	COMMERCIAL	1.7 V				9 Mbit	2		SYNCHRONOUS		105 mA, 115 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 18	3-STATE		1.6 mm	18		18 Bit	SRAM	9 Mbit	0.025 A	9437184 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	1.7 V							SRAM	20 mm	14 mm
GS881Z36CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								有	250 MHz	+ 85 C		Tray		GS881Z36CGD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36							SRAM																											SRAM
GS88236CD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8673ET18BGK-550	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-260	YES	260	BGA	DDR	1.3500 V	1.25 V	Synchronous	4 MWords	18 Bit	1.4 V	表面贴装	有	550 MHz	+ 85 C	1.4 V	0 C	8	1.25 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-IIIe	Details	DDR-III	HBGA,	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	4000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.4 ns	85 °C	有	GS8673ET18BGK-550	1.3 V	HBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.72	Commercial grade					550/375 MHz	0 to 70 °C	Tray		GS8673ET18BGK						3A991.B.2.B	SigmaDDR-IIIe B2				IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				260	R-PBGA-B260			1.4 V		OTHER	1.25 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS		1.49 A				Pipelined	4 M x 18			2.3 mm	18			SRAM	72 Mbit		75497472 bit	Commercial		PARALLEL			DDR SRAM						SRAM			22 mm	14 mm
GS8182T19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS881Z36CD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR								有	250 MHz	+ 70 C		Tray		GS881Z36CD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit					155 mA, 195 mA	5.5 ns				256 k x 36							SRAM																											SRAM
GS88236CD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR								有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS88236CD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns				256 k x 36							SRAM																											SRAM
GS81302TT19E-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	N	DDR-II	Commercial grade								450 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	8 MWords	18 Bit	表面贴装	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	10	1.7 V	0 to 85 °C	Tray		GS81302TT19E							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													165											144 Mbit	1				1 A				Pipelined	8 M x 18							SRAM	144 Mbit			Commercial																						SRAM
25AA020A-I/ST	Microchip Technology	数据表	2005 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2007		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		Matte Tin (Sn)			DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES				1.8V~5.5V	DUAL		260	1	2.5V	0.65mm			40	25AA020A	8			5V					SPI, Serial			2Kb 256 x 8		5mA		10MHz		50 ns	EEPROM	SPI						8	5ms			2 kb	0.000001A										SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE													1.2mm	4.4mm	3mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IS25LP128-JLLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	10 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-WDFN Exposed Pad	8				Non-Volatile	-40°C~105°C TA	Tray			e3		活跃	3 (168 Hours)	8	3A991.B.1.A		Tin (Sn)							2.3V~3.6V	DUAL		260	1	3V	1.27mm			10					3V	3.6V				SPI			128Mb 16M x 8			SYNCHRONOUS	133MHz		7 ns	FLASH	SPI - Quad I/O, QPI						1	1ms	24b		128 Mb					SERIAL					2.7V													256B				800μm						ROHS3 Compliant
CAT93C86VI-G	ON Semiconductor	数据表	24900 In Stock	1: ¥1.853564 10: ¥1.748643 100: ¥1.649664 500: ¥1.556290 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	Gold	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	Industrial grade			Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2008		e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8										1.8V~5.5V	DUAL		260	1	5V	1.27mm				CAT93C86	8			5V					Serial			16Kb 2K x 8 1K x 16		3mA		3MHz		1 μs	EEPROM	SPI		16KX1		无卤素						16 kb	0.00001A										MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles		100	HARDWARE/SOFTWARE												1.5mm		5mm	4mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
93AA66T-I/SN	Microchip Technology	数据表	2469 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	29 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2004		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					1000K ERASE/WRITE CYCLE; 200 YEAR DATA RETENTION				1.8V~5.5V	DUAL		260	1	3V	1.27mm			40	93AA66	8				5.5V				Serial			4Kb 512 x 8 256 x 16		2mA		2MHz		2 μs	EEPROM	SPI		256X16				16	10ms			4 kb											MICROWIRE		10ms				8											1.75mm	4.9mm	3.9mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
MX25L25645GMI-10G	Macronix	数据表	571 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)					Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	2005	MXSMIO™	e3		不用于新设计	3 (168 Hours)				Tin (Sn)							2.7V~3.6V			260						40													256Mb 32M x 8				120MHz			FLASH	SPI							30μs, 750μs																																				符合RoHS标准
CY62128ELL-45ZXAT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	15 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	32				Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2001	MoBL®	e3		活跃	3 (168 Hours)	32	EAR99		Matte Tin (Sn)							4.5V~5.5V	DUAL			1	5V	0.5mm				CY62128				5V		5V						1Mb 128K x 8	1	16mA					SRAM	Parallel			3-STATE			8	45ns	17b		1 Mb	0.000004A			45 ns		COMMON	Asynchronous	8b								2V															无		ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1372D-167AXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	3 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	100-LQFP	100	Volatile					0°C~70°C TA	Tray	2011	NoBL™	e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	100			Matte Tin (Sn)			流水线结构				3.135V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.65mm			20	CY7C1372	100			3.3V	3.6V			3.135V				18Mb 1M x 18	2	275mA		167MHz		3.4ns	SRAM	Parallel		1MX18	3-STATE					20b		18 Mb	0.07A					COMMON	Synchronous	18b								3.14V												1.6mm		14mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1314BV18-200BZC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	348 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	165-LBGA	165	Volatile					0°C~70°C TA	Tray	2003		e0		Obsolete	3 (168 Hours)	165			Tin/Lead (Sn/Pb)			流水线结构				1.7V~1.9V	BOTTOM		220	1	1.8V	1mm	not_compliant		未说明	CY7C1314	165		不合格	1.8V	1.9V			1.7V				18Mb 512K x 36	2	750mA		200MHz		450 ps	SRAM	Parallel			3-STATE			36		18b		18 Mb						SEPARATE	Synchronous	36b								1.7V												1.4mm	15mm				Non-RoHS Compliant
TC58NVG1S3ETAI0	Toshiba	数据表	36 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TFSOP	48				EEPROM, NAND, SLC NAND					2012				Discontinued		48	3A991.B.1.A			85°C	-40°C		8542.32.00.51				DUAL	鸥翼		1	3.3V	0.5mm					48			3.3V			INDUSTRIAL		Parallel, Serial	3.6V	2.7V	2GB		30mA				25 ns				256MX8						1b		2 Gb	0.00005A						Synchronous	8b										NO	NO		2K	128K	2.1kB	YES			1mm		18.4mm	12.4mm	无		符合RoHS标准
IS62WV2568BLL-70BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	12 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	36-TFBGA	YES	36	Volatile					-40°C~85°C TA	Tray			e0	no	活跃	2 (1 Year)	36			Tin/Lead (Sn/Pb)							2.5V~3.6V	BOTTOM			1	3V	0.75mm					36			3.3V	3.6V			2.5V				2Mb 256K x 8	1						SRAM	Parallel		256KX8	3-STATE			8	70ns	18b		2 Mb				70 ns		COMMON										1V													8mm		无		Non-RoHS Compliant
93AA76/P	Microchip Technology	数据表	9 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	Tin	通孔	通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	8	Automotive grade			Non-Volatile	0°C~70°C TA	Tube	2012		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99									1.8V~6V	DUAL			1	3V	2.54mm				93AA76	8				6V	2/5V			Serial			8Kb 1K x 8 512 x 16		3mA		3MHz			EEPROM	SPI		512X16	3-STATE			16	5ms			8 kb	0.00003A		TS 16949								MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE		8											4.32mm	9.46mm	7.62mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
CAT24M01WI-G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	Gold	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	2012		e4	yes	活跃	1 (Unlimited)											1.8V~5.5V																			2-Wire, I2C, Serial			1Mb 128K x 8		5mA		1MHz		400ns	EEPROM	I2C							5ms			1 Mb											SPI																				无		ROHS3 Compliant
S29AS016J70BFI043	Cypress Semiconductor Corp	数据表	15 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	48-VFBGA	YES	48				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2015	AS-J			活跃	3 (168 Hours)	48	EAR99					底部启动区块	8542.32.00.51			1.65V~1.95V	BOTTOM			1	1.8V	0.8mm							不合格		1.95V			1.65V				16Mb 2M x 8 1M x 16			ASYNCHRONOUS				FLASH	Parallel		1MX16				16	70ns					16777216 bit		70 ns						1.8V							8								BOTTOM			1mm	8.15mm	6.15mm			ROHS3 Compliant
AT28C010-20EM/883	Microchip Technology	数据表	2012 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23 Weeks	Lead, Tin	表面贴装	表面贴装	32-CLCC	32	Military grade			Non-Volatile	-55°C~125°C TC	Tube	1998		e0	no	活跃	3 (168 Hours)	32			Tin/Lead (Sn/Pb)			AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS				4.5V~5.5V	QUAD		240	1	5V	1.27mm		200GHz	30	AT28C010			不合格	5V		5V						1Mb 128K x 8		80mA	ASYNCHRONOUS			200ns	EEPROM	Parallel		128KX8	3-STATE			8	10ms			1 Mb	0.0003A		MIL-STD-883							5V		10000 Write/Erase Cycles	10ms					YES	YES	NO			128words					2.54mm	13.97mm	11.43mm			Non-RoHS Compliant	含铅
S29AL008J70TFI01	Cypress Semiconductor	数据表	1000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1