GSI Technology GS8673ET18BGK-550

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

BGA-260

表面安装

YES

引脚数

260

终端数量

260

Maximum Clock Rate

550/375 MHz

Supplier Package

BGA

Data Rate Architecture

DDR

Typical Operating Supply Voltage

1.3500 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.25 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

18 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.4 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

550 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

1.4 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8

Supply Voltage-Min

1.25 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SigmaDDR-IIIe

RoHS

Details

Memory Types

DDR-III

Package Description

HBGA,

Package Style

GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.4 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8673ET18BGK-550

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.3 V

Package Code

HBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.72

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 70 °C

系列

GS8673ET18BGK

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

SigmaDDR-IIIe B2

附加功能

IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B260

温度等级

OTHER

内存大小

72 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

1.49 A

建筑学

Pipelined

组织结构

4 M x 18

座位高度-最大

2.3 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

密度

72 Mbit

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.4 V

电压 - 供电 （最小值）

1.25 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm