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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型
GS816132DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816132DGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS8672Q37BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8672Q37BE-400I	400 MHz	2097152 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.92	BGA	400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II+	1.9 V	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000		Tray	GS8672Q37BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+			8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	1.88 A			2 M x 36	3-STATE	1.5 mm	36					72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V		17 mm	15 mm
GS8672Q18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	N	400 MHz	Parallel	1.7 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V					Tray	GS8672Q18BE				SigmaQuad-II																			72 Mbit			1.36 A			4 M x 18								72
GS84032CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	Details	200 MHz	Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V					Tray	GS84032CGB				Pipeline/Flow Through																			4 Mbit			160 mA, 190 mA	6.5 ns		128 k x 32
GS84036CB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	GS84036CB-166	131072 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73		166 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	BGA,	网格排列	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无		Tray	GS84036CB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	4 Mbit		SYNCHRONOUS	135 mA, 160 mA	7 ns		128 k x 36		1.99 mm	36					4718592 bit		PARALLEL		缓存SRAM			22 mm	14 mm
GS8182S09BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	DDR	有	18	SigmaSIO DDR-II	1.9 V				300 MHz	Parallel	1.7 V		Tray	GS8182S09BD				SigmaSIO DDR-II																			18 Mbit			495 mA			2 M x 9
GS84018CGT-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	YES	100	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS84018CGT-166I	262144 words	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.66		Details	166 MHz	Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	SDR	有	72	SyncBurst	3.6 V	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE		Tray	GS84018CGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Pure Matte Tin (Sn)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE			CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant		R-PQFP-G100		3.6 V		INDUSTRIAL	3 V	4 Mbit		SYNCHRONOUS	145 mA, 170 mA	6.5 ns		256 k x 18		1.6 mm	18					4718592 bit		PARALLEL		缓存SRAM			20 mm	14 mm
GS84018CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V				250 MHz	Parallel	2.3 V		Tray	GS84018CB				Pipeline/Flow Through																			4 Mbit			145 mA, 180 mA	5.5 ns		256 k x 18
GS84036CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	Details	250 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	72	SyncBurst	3.6 V					Tray	GS84036CGT				Pipeline/Flow Through																			4 Mbit			155 mA, 195 mA	5.5 ns		128 k x 36
GS8342Q10BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade				250 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q10BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 9				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial					SRAM
GS8182D37BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182D37BGD-333	333 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182D37BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	575 mA			512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM		0.16 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	10 mm
GS8672Q19BE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q19BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.32 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS71116AGU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	BGA-48	YES	48	64000	PLASTIC/EPOXY	BGA48,6X8,30	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS71116AGU-12I	65536 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.17	BGA	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	240	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	Details	SDR	TFBGA, BGA48,6X8,30	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3			GS71116AGU	e1	有	3A991.B.2.B	Asynchronous	锡银铜		8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	0.75 mm	compliant	48	R-PBGA-B48	不合格	3.6 V	3.3 V	INDUSTRIAL	3 V	1 Mbit		ASYNCHRONOUS	90 mA	12 ns		64 k x 16	3-STATE	1.2 mm	16		SRAM		0.005 A	1048576 bit		PARALLEL	COMMON	标准SRAM	2 V	SRAM	8 mm	6 mm
GS8182D18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	Details	DDR				有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182D18BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			430 mA			1 M x 18					SRAM									SRAM
GS8160E36DGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				150 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8160E36DGT				DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial					SRAM
GS8160E36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SyncBurst	Details	SDR				有	250 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8160E36DGT				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 36					SRAM									SRAM
GS881Z32CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	32 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS881Z32CGT				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								100							9 Mbit	1		155 mA, 195 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 32				18 Bit	SRAM	8 Mbit			Commercial					SRAM
GS8342Q19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				300 MHz	FBGA	QDR	0 to 85 °C																		165							36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS8342S36BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	0 to 85 °C	Tray	GS8342S36BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		850 mA		Pipelined	1 M x 36					SRAM	36 Mbit			Commercial					SRAM
GS8161E32DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 32					SRAM									SRAM
GS8342D09BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D09BD-250I	250 MHz	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.35	BGA	Industrial grade	250 MHz	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D09BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit		SYNCHRONOUS	470 mA	0.45		4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		SRAM		0.195 A	36	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161E36DGD-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	18	- 40 C	2.7 V	+ 85 C	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	-40 to 85 °C	Tray	GS8161E36DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial					SRAM
GS8342QT07BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				300 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT07BD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			775 mA	0.45		4 M x 8					SRAM			36						SRAM
GS8672D18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	N	QDR-II				有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D18BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.36 A			4 M x 18					SRAM			72						SRAM
GS8161Z32DGD-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	BGA	5.3	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	GS8161Z32DGD-250V	有	70 °C	5.5 ns	未说明	PLASTIC/EPOXY	1000000	Commercial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z32DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32		1.4 mm	32		SRAM	18 Mbit		33554432 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM		SRAM	15 mm	13 mm