GSI Technology GS71116AGU-12I

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

BGA-48

表面安装

YES

终端数量

48

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Supply Voltage-Min

3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

TFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS71116AGU-12I

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.17

Part Package Code

BGA

系列

GS71116AGU

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Asynchronous

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

1 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

90 mA

访问时间

12 ns

组织结构

64 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

产品类别

SRAM

宽度

6 mm

长度

8 mm