类别是'category.桥式整流器' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电容量 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | ESR(等效串联电阻) | 电路 | 失败率 | 引线间距 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 制造商的尺寸代码 | 正向电流 | 最大反向漏电电流 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 平均整流电流(Io) | 正向电压 | 产品类别 | 相位的数量 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最大非代表Pk前进电流 | 反向电流-最大值 | 电压 - 峰值反向(最大值) | 击穿电压-最小值 | 重复峰值反向电压 | 产品 | 特征 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KBPC610 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | VS-KBPC610 | Vishay | 无 | 1000(V) | 汽车 | 6(A) | D-72 | 单相 | 10(mA) | -40C to 150C | 1 | 500(V) | 137(A) | 无 | 通孔 | 4 Pin PC mount | 4 | Full Wave Diode Bridge | 1.2(V) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBP408G | SMC Diode Solutions | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 4-ESIP | KBP | SMC 二极管解决方案 | KBP408 | 活跃 | 7005-40021-2240150 | Murrelektronik | Tube | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | Standard | 单相 | 5 µA @ 800 V | 1.1 V @ 4 A | 4 A | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBR2-L020M | Central | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 4-SIP | NO | B-M | SILICON | 4 | 1.1 V | 5.17 | IN-LINE | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | CBR2-L020M | RECTANGULAR | Central Semiconductor Corp | 4 | 活跃 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | -- | e0 | 无 | 活跃 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.80 | 桥式整流二极管 | Standard | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | R-PSIP-T4 | 不合格 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 单相 | 10µA @ 200V | 1.1V @ 2A | 2 A | 2A | 1 | 200 V | 60 A | 200V | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBPC610 | International Rectifier | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Compliant | 6 A | 1.2 V | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBP304G | Taiwan Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Obsolete (Last Updated: 3 years ago) | OBSOLETE (Last Updated: 3 years ago) | Non-Compliant | TAIWAN SEMICONDUCTOR | KBP | 150 °C | -55 °C | IR - 10uA | VRRM - 400V | 10 µA | 80 A | 11.68 mm | 15.24 mm | 3.9 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDF100H20G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | Bulk | APTDF100 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | Standard | 单相 | 250 µA @ 200 V | 1.1 V @ 100 A | 145 A | Discrete Semiconductor Modules | 200 V | 200 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDF200H60G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | Bulk | APTDF200 | 活跃 | 600 V | + 175 C | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | Standard | 单相 | 350 µA @ 600 V | 2 V @ 200 A | 270 A | Discrete Semiconductor Modules | 600 V | 600 | Diode Power Modules | 2 V | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBJ30J | GeneSiC Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 4-SIP, GBJ | GBJ | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | 5.2 A | 600 V | Details | Bulk | GBJ30 | 活跃 | 30 A | + 150 C | - 50 C | 200 | 通孔 | GeneSiC Semiconductor | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 单相电桥 | Diodes & Rectifiers | Standard | 单相 | 5 µA @ 600 V | 1.05 V @ 15 A | 420 A | 30 | 30 A | 桥式整流器 | 600 | 600 V | 桥式整流器 | 1.05 V | 桥式整流器 | 20 mm | 30 mm | 4.6 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF06M | World Products | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | SILICON | 4 | -65 | 150 | RECTANGULAR | 4 | 1.1 | IN-LINE | 1 | PLASTIC/EPOXY | e3 | Matte Tin (Sn) | UL 认证 | DUAL | THROUGH-HOLE | 260 | 40 | R-PDIP-T4 | 不合格 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 桥式整流二极管 | 1 | 1 | 600 | 50 | 1e-05 | 600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W06G-G | Comchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 4-Square, BR | BR | 芯片技术 | Obsolete | Bulk | W06G | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | Standard | 未说明 | 未说明 | 单相 | 10 µA @ 600 V | 1.1 V @ 1.5 A | 1.5 A | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBPC1510 | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | Axial | -- | 6V | -- | 28.8 x 28.8 x 11.23mm | 1.1V | KBPC | +150 °C | -55 °C | 单相 | -55°C ~ 125°C | Tape & Reel (TR) | Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13 | 0.289 Dia x 0.686 L (7.34mm x 17.42mm) | ±10% | 活跃 | -- | 密封 | 150µF | 4 | -- | S (0.001%) | -- | Single | Silicon Junction | C | 10µA | Military | 11.23mm | -- | 28.8mm | 28.8mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBPC2510 | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 28.8 x 28.8 x 11.23mm | 1.1V | KBPC | 单相 | -55 °C | +150 °C | -- | * | 活跃 | -- | 4 | Single | Silicon Junction | 10µA | 11.23mm | 28.8mm | 28.8mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MB6S | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | -55 °C | +150 °C | SOIC | 4.95 x 4.2 x 2.7mm | 1V | 单相 | 4 | Single | 500µA | 2.7mm | 4.95mm | 4.2mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC3506W | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 单相 | -50 °C | +150 °C | GBPC-W | 1.1V | 29 x 29 x 8.5mm | Non-Compliant | 4 | Single | 5µA | 8.5mm | 29mm | 29mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC5010W | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 单相 | -55 °C | +150 °C | GBPC-W | 1.1V | 28.8 x 28.8 x 8.5mm | Non-Compliant | 4 | Single | Silicon Junction | 10µA | 8.5mm | 28.8mm | 28.8mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC5006 | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | +150 °C | -40 °C | 单相 | 28 x 28 x 7.8mm | 1.1V | GBPC | 4 | Single | 500µA | 7.8mm | 28mm | 28mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SBR3510 | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 三相 | -55 °C | +150 °C | SBR | 1.2V | 28.8 x 28.8 x 11.5mm | Non-Compliant | 5 | Single | Silicon Junction | 5mA | 11.5mm | 28.8mm | 28.8mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC2506 | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 螺钉安装 | GBPC | 1.1V | 29 x 29 x 11.23mm | 单相 | -55 °C | +150 °C | 4 | Single | 500µA | 11.23mm | 29mm | 29mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KBP210G | HY ELECTRONIC CORP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | KBP | 1.1V | 14.75 x 3.65 x 10.6mm | 单相 | -65 °C | +150 °C | 4 | Single | 500µA | 10.6mm | 14.75mm | 3.65mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GBPC3508 | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | QC 终端 | 4-Square, GBPC | GBPC | Fairchild Semiconductor | Bulk | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | Standard | 单相 | 5 µA @ 800 V | 1.1 V @ 17.5 A | 35 A | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C50VB160-G | Comchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 4-Square, CVB | NO | CVB | 芯片技术 | COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD | 5.74 | Compliant | 150 | 4 | 1.1 | Bulk | Obsolete | 未说明 | 有 | C50VB160-G | Comchip Technology Corporation Ltd | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | 8541.10.00.80 | 桥式整流二极管 | Standard | 未说明 | compliant | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 桥式整流二极管 | 100 µA @ 1600 V | 1.1 V @ 25 A | 50 | 50 A | 1600 | 500 | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDF200H100G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | Bulk | APTDF200 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | Standard | 单相 | 100 µA @ 1000 V | 2.7 V @ 200 A | 255 A | Discrete Semiconductor Modules | 1 kV | 1000 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDC20H1201G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 1 | 1 | Compliant | Bulk | 175 °C | -40 °C | Single | 20 A | 1.8 V | 400 µA | 1.2 kV | 250 A | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDF100H601G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 微芯片技术 | Bulk | APTDF100 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | Standard | 单相 | 250 µA @ 600 V | 2 V @ 100 A | 135 A | Discrete Semiconductor Modules | 600 V | 600 | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTDF30H1201G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | NO | SP1 | SILICON | 12 | 微芯片技术 | Bulk | APTDF30 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-XUFM-T12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | -40 °C | 未说明 | 175 °C | 有 | APTDF30H1201G | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 3.1 V | 5.75 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | 锡银铜 | 8541.10.00.80 | Discrete Semiconductor Modules | Standard | UPPER | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-T12 | 不合格 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 单相 | 100 µA @ 1200 V | 3.1 V @ 30 A | ISOLATED | 43 A | 43 A | Discrete Semiconductor Modules | 1 | 1200 V | 210 A | 1.2 kV | 1200 V | 1.2 | Discrete Semiconductor Modules |
KBPC610
Vishay
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBP408G
SMC Diode Solutions
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
CBR2-L020M
Central
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBPC610
International Rectifier
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBP304G
Taiwan Semiconductor
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDF100H20G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDF200H60G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBJ30J
GeneSiC Semiconductor
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
DF06M
World Products
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
W06G-G
Comchip Technology
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBPC1510
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBPC2510
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
MB6S
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBPC3506W
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBPC5010W
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBPC5006
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
SBR3510
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBPC2506
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
KBP210G
HY ELECTRONIC CORP
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
GBPC3508
Fairchild
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
C50VB160-G
Comchip Technology
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDF200H100G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDC20H1201G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDF100H601G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
APTDF30H1201G
Microchip
分类:Diodes - Bridge Rectifiers
