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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	串行总线类型	写入周期时间 - 最大值	待机电压-最小值	产品类别
GS8161E36DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR		Tray	GS8161E36DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36					SRAM											SRAM
25AA320ISNG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	小概要	1	4000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA320-I/SNG	1 MHz	4096 words	2.5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.25	SOIC			3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8				e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	1.27 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS				4KX8		1.75 mm	8					32768 bit		SERIAL		EEPROM	SPI	5 ms			4.9 mm	3.9 mm
GS8342D19BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D19BD-350	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	350 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	665 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8342R36BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	DDR	Industrial grade				350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	-40 to 100 °C	Tray	GS8342R36BD				SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	1		735 mA		Pipelined	1 M x 36				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS880E36CGT-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	未说明	6.5 ns	70 °C	有	QFP	5.61	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LQFP	2.5 V	262144 words	GS880E36CGT-200	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst		Tray	GS880E36CGT	e3	有	3A991.B.2.B	DCD	纯哑光锡	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit		SYNCHRONOUS	140 mA, 170 mA	6.5 ns		256 k x 36	3-STATE	1.6 mm	36		SRAM		0.025 A	9437184 bit		PARALLEL	COMMON	缓存SRAM			2.3 V	SRAM	20 mm	14 mm
GS8182D18BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182D18BGD-333	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182D18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	515 mA			1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM				SRAM	15 mm	13 mm
GS8672Q38BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	BGA	5.92	GSI TECHNOLOGY	Obsolete	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	2097152 words	450 MHz	GS8672Q38BE-450I	无	85 °C	0.45 ns	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q38BE			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	72 Mbit		SYNCHRONOUS	2.07 A			2 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		SRAM			72		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS832218AB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	2.7, 3.6 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS832218AB-250	250 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.11	BGA	Commercial grade	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	0 to 85 °C			e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	215 mA, 255 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.99 mm	18	21 Bit		36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM			2.3 V		22 mm	14 mm
GS8672D19BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D19BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.49 A			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8672T18BE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaDDR-II	N	DDR-II				有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672T18BE				SigmaDDR-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			950 mA			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS816236DGB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119				250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	36 Bit	2.7, 3.6 V	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								119							18 Mbit			280 mA, 365 mA	4@Flow-Through/2.5@P		512 k x 36				19 Bit	SRAM			18								SRAM
GS8672D19BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672D19BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.51 A			4 M x 18					SRAM			72								SRAM
GS8161Z36DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS8161Z36DGD-150V	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	BGA	Commercial grade	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z36DGD			3A991.B.2.B	NBT		FLOW THROUGH AND PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165		2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36		1.4 mm	36		SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM				SRAM	15 mm	13 mm
GS8342Q18BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				333 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342Q18BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		885 mA		Pipelined	2 M x 18				20 Bit	SRAM	36 Mb			Commercial							SRAM
GS88236CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	BGA,	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	无	GS88236CB-250	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.13	BGA	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR		Tray	GS88236CB	e0	无	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit		SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	5.5 ns		256 k x 36		1.77 mm	36		SRAM			9437184 bit		PARALLEL		缓存SRAM				SRAM	22 mm	14 mm
GS8182S18BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR				有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182S18BGD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			355 mA			1 M x 18					SRAM											SRAM
25AA640X-I/STG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	8000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA640X-I/STG	1 MHz	8192 words	2.5 V	TSSOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.3	SOIC			4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8				e3	有	EAR99		哑光锡		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS				8KX8		1.2 mm	8					65536 bit		SERIAL		EEPROM	SPI	5 ms			4.4 mm	3 mm
GS8161E18DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	YES	165	未说明	6.5 ns	85 °C	有	GS8161E18DGD-200I	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.29	BGA	Industrial grade		153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	-40 to 85 °C					3A991.B.2.B			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V		2	SYNCHRONOUS			Flow-Through/Pipelined	1MX18		1.4 mm	18	20 Bit		18 Mbit		18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM					15 mm	13 mm
GS8182S36BD-167	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel				167 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V			GS8182S36BD																							18 Mbit			380 mA			512 k x 36
GS8342D37BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	Synchronous	1 MWords	36 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D37BD-300	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Commercial grade	300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342D37BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	675 mA		Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36	18 Bit	SRAM	36 Mbit	0.2 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8672D38BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D38BE				SigmaQuad-II+ B4				Memory & Data Storage															72 Mbit			2.05 A			2 M x 36					SRAM			72								SRAM
GS8161E32DD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR					Tray	GS8161E32DD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 32					SRAM											SRAM
GS8342D08BGD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Industrial grade				300 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D08BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		540 mA		Pipelined	4 M x 8				20 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial							SRAM
GS8342D20BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8342D20BD-350I	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade	350 MHz	FBGA	QDR	-40 to 100 °C	Tray	GS8342D20BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL		1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	675 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.23 A	75497472 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM			1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm
GS8161E36DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E36DGD				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			180 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 36					SRAM											SRAM