GS8161E18DGD-200I
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GSI Technology GS8161E18DGD-200I

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型号

GS8161E18DGD-200I

utmel 编号

2984-GS8161E18DGD-200I

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8161E18DGD-200I
GS8161E18DGD-200I GSI Technology Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

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GS8161E18DGD-200I详情

GSI Technology GS8161E18DGD-200I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Maximum Clock Rate

    153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz

  • Supplier Package

    FBGA

  • Data Rate Architecture

    SDR

  • Typical Operating Supply Voltage

    2.5, 3.3 V

  • Minimum Operating Supply Voltage

    2.3, 3 V

  • Timing Type

    Synchronous

  • Number of Words

    1 MWords

  • Number of I/O Lines

    18 Bit

  • Maximum Operating Supply Voltage

    2.7, 3.6 V

  • Mounting

    表面贴装

  • Package Description

    LBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    6.5 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    GS8161E18DGD-200I

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Package Code

    LBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    GSI技术

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    GSI TECHNOLOGY

  • Risk Rank

    5.29

  • Part Package Code

    BGA

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -40 to 85 °C

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.B

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    165

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 建筑学

    Flow-Through/Pipelined

  • 组织结构

    1MX18

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    20 Bit

  • 密度

    18 Mbit

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • 筛选水平

    Industrial

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

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