GSI Technology GS8161E18DGD-200I
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GS8161E18DGD-200I
2984-GS8161E18DGD-200I
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Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
1最小包装量--
GS8161E18DGD-200I详情
GSI Technology GS8161E18DGD-200I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
终端数量
165
Maximum Clock Rate
153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
1 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Mounting
表面贴装
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
6.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS8161E18DGD-200I
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
GSI技术
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.29
Part Package Code
BGA
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40 to 85 °C
ECCN 代码
3A991.B.2.B
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
建筑学
Flow-Through/Pipelined
组织结构
1MX18
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
20 Bit
密度
18 Mbit
记忆密度
18874368 bit
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
宽度
13 mm
长度
15 mm
GS8161E18DGD-200I拓展信息
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