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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	无卤素	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	最高频率	筛选水平	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	同步/异步	字长	内存IC类型	编程电压	串行总线类型	写入周期时间 - 最大值	数据保持时间	写入保护	I2C控制字节	座位高度(最大)	长度
25LC080CT-I/MNY	Microchip Technology	数据表	10000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad	8				Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2009		e4	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)							2.5V~5.5V	DUAL		260	1	5V	0.5mm			40	25LC080C	8			5V					SPI, Serial			8Kb 1K x 8		5mA		10MHz		100 ns	EEPROM	SPI							8	5ms			8 kb	0.000001A											SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE								3mm	2mm	无	ROHS3 Compliant
CAT93C46RVP2IGT3	ON Semiconductor	数据表	3000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)	Gold	表面贴装	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad	8	Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2008		e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99									1.8V~5.5V	DUAL			1	3V					CAT93C46	8			5V					Serial			1Kb 128 x 8 64 x 16		1mA		4MHz		250 ns	EEPROM	SPI			64X16		无卤素						1 kb	0.00001A											MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles		100	SOFTWARE						750μm		2.1mm	3.1mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
TC58BVG1S3HBAI6	Kioxia America, Inc.	数据表	2688 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	67-VFBGA	YES				Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tray		Benand™			活跃	3 (168 Hours)	67										2.7V~3.6V	BOTTOM			1	3.3V	0.8mm						R-PBGA-B67			3.6V			2.7V				2Gb 256M x 8			ASYNCHRONOUS				FLASH	Parallel			256MX8				8	25ns					2147483648 bit									3.3V												1mm	8mm	6.5mm		符合RoHS标准
CY14B104NA-ZS25XIT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	260 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Gold, Tin	表面贴装	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44	Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2011		e4		活跃	3 (168 Hours)	44	3A991.B.2.A		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)				8542.32.00.41			2.7V~3.6V	DUAL		260	1	3V	0.8mm			30	CY14B104	44		不合格	3V	3.6V			2.7V				4Mb 256K x 16		70mA	ASYNCHRONOUS				NVSRAM	Parallel		16b	256KX16				16	25ns			4 Mb	0.005A				25 ns				16b														1.194mm	18.415mm			ROHS3 Compliant	无铅
TC58CVG0S3HRAIG	Kioxia America, Inc.	数据表	7300 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (6x8)				Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tray					最后一次购买	3 (168 Hours)											2.7V~3.6V																						1Gb 128M x 8				104MHz		155μs	FLASH	SPI - Quad I/O																																						符合RoHS标准
25AA080BT-I/SN	Microchip Technology	数据表	7809 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	8-SOIC				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2007				活跃	1 (Unlimited)					85°C	-40°C					1.8V~5.5V								10MHz		25AA080B									SPI, Serial	5.5V	1.8V	8Kb 1K x 8		6mA		10MHz		160 ns	EEPROM	SPI								5ms			8 kb			10MHz																							无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C1380S-167BZC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	53 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	165-LBGA	YES	165					Volatile			0°C~70°C TA	Tray	2004				Obsolete	3 (168 Hours)	165						流水线结构	8542.32.00.41			3.135V~3.6V	BOTTOM			1	3.3V	1mm	unknown			CY7C1380					3.6V			3.135V				18Mb 512K x 36				167MHz		3.4ns	SRAM	Parallel			512KX36				36						18874368 bit																					1.4mm	15mm	13mm		Non-RoHS Compliant
S25FL064P0XMFA003	Cypress Semiconductor Corp	数据表	4868 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	YES					Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2016	Automotive, AEC-Q100, FL-P			活跃	3 (168 Hours)	16							8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL		未说明	1	3V	1.27mm			未说明			R-PDSO-G16			3.6V			2.7V				64Mb 8M x 8			SYNCHRONOUS	104MHz			FLASH	SPI - Quad I/O			64MX1				1	5μs, 3ms					67108864 bit				SERIAL					3V												2.65mm	10.3mm	7.5mm		ROHS3 Compliant
IS61LV25616AL-10TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44					Volatile	Industrial grade		-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)			e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	44			Matte Tin (Sn)							3.135V~3.6V	DUAL		260	1	3.3V	0.8mm			40		44			3.3V	3.63V							4Mb 256K x 16	1	110mA					SRAM	Parallel				3-STATE			16	10ns	18b		4 Mb							COMMON	Asynchronous	16b								2V									无	ROHS3 Compliant
GS882Z18CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119		有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR										Tray		GS882Z18CGB							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit					120 mA, 130 mA	7.5 ns					512 k x 18							SRAM																						SRAM
GS88018CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	LQFP, QFP100,.63X.87	FLATPACK, LOW PROFILE	3	512000	PLASTIC/EPOXY	QFP100,.63X.87	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS88018CGT-150I	150 MHz	524288 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.3	QFP							有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V		Tray		GS88018CGT	e3	有				3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	纯哑光锡			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant				100	R-PQFP-G100	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V				9 Mbit			SYNCHRONOUS		140 mA, 150 mA	7.5 ns					512 k x 18	3-STATE		1.6 mm	18			SRAM		0.045 A	9437184 bit				PARALLEL	COMMON			缓存SRAM						2.3 V				SRAM		20 mm	14 mm
GS8162Z18DB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR										有		Tray		GS8162Z18DB							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit					190 mA, 200 mA	7.5 ns					1 M x 18							SRAM																						SRAM
GS816136DD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR										Tray		GS816136DD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit					180 mA, 190 mA	7.5 ns					512 k x 36							SRAM																						SRAM
GS842Z36CGB-100I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks				BGA-119	YES			119	83.3@Flow-Through/100@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	128 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	100 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	128000	BGA	5.35	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	BGA	2.5 V	100 MHz	GS842Z36CGB-100I	有	85 °C	12 ns	未说明	-40 °C	BGA119,7X17,50	PLASTIC/EPOXY	Industrial grade		-40 to 100 °C	Tray		GS842Z36CGB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V				4 Mbit	4		SYNCHRONOUS		130 mA, 140 mA	12 ns			Flow-Through/Pipelined		128 k x 36	3-STATE		1.99 mm	36		17 Bit	SRAM	4 Mbit	0.045 A	4718592 bit	Industrial		PARALLEL	COMMON			ZBT SRAM						2.3 V	SRAM	22 mm	14 mm
GS842Z18CB-100I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	BGA-119	YES	119	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	256000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	12 ns	70 °C	无	GS842Z18CB-100I	100 MHz	262144 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA							有	100 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	84	2.3 V	SMD/SMT		Tray		GS842Z18CB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL		1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V				4 Mbit			SYNCHRONOUS		130 mA	12 ns					256 k x 18	3-STATE		1.99 mm	18			SRAM		0.045 A	4718592 bit				PARALLEL	COMMON			ZBT SRAM						2.3 V				SRAM			22 mm	14 mm
GS880E32CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100		有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR										Tray		GS880E32CGT							DCD						Memory & Data Storage																								9 Mbit					155 mA, 195 mA	5.5 ns					256 k x 32							SRAM																						SRAM
GS8672D18BE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	BGA-165	YES	165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	0.45 ns	85 °C	无	GS8672D18BE-333I	333 MHz	4194304 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	Obsolete	GSI TECHNOLOGY	5.43	BGA							有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray		GS8672D18BE						3A991.B.2.B	SigmaQuad-II				管道结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL		1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V				72 Mbit			SYNCHRONOUS		1.21 A						4 M x 18	3-STATE		1.5 mm	18			SRAM			72				PARALLEL	SEPARATE			标准SRAM						1.7 V				SRAM			17 mm	15 mm
GS882Z18CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8672D18BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II										有		Tray		GS8672D18BE							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																								72 Mbit					1.38 A						4 M x 18							SRAM			72																			SRAM
MX25V8035FZUI	Macronix	数据表	23760 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	8-UFDFN Exposed Pad	YES					Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2017	MXSMIO™		yes	活跃	3 (168 Hours)	8						ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 8M X 1 BIT				2.3V~3.6V	DUAL		未说明	1	3V	0.5mm			未说明			R-PDSO-N8			3.6V			2.3V	SPI, Serial			8Mb 1M x 8			SYNCHRONOUS	104MHz			FLASH	SPI			2MX4				4	100μs, 4ms					8388608 bit									3V							2					0.6mm	3mm	2mm		ROHS3 Compliant
CYD09S18V18-167BBXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	2517 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	256-LBGA	256					Volatile			0°C~70°C TA	Tray	2005		e1		Obsolete	5 (48 Hours)	256			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V				1.42V~1.58V 1.7V~1.9V	BOTTOM		260	1	1.5V	1mm	unknown		20	CYD09S18	256		不合格	1.8V	1.58V							9Mb 512K x 18	2	580mA		167MHz		4ns	SRAM	Parallel				3-STATE			18		19b		9 Mb							COMMON	Synchronous	18b								1.4V						1.7mm	17mm			ROHS3 Compliant	无铅
S25FL512SAGMFIR13	Cypress Semiconductor Corp	数据表	1638 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16	Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2007	FL-S	e3		活跃	3 (168 Hours)	16	3A991.B.1.A						8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL		260	1	3V	1.27mm			30				不合格	3V	3.6V			2.7V	Parallel, SPI, Serial			512Mb 64M x 8		75mA		133MHz		8 ns	FLASH	SPI - Quad I/O			64MX8				8		32b		512 Mb	0.0001A							Asynchronous			3V	SPI	100000 Write/Erase Cycles		20	HARDWARE/SOFTWARE		1	512B				2.65mm	10.3mm			ROHS3 Compliant
25C040X-E/ST	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	有	125 °C	40	-40 °C	TSSOP8,.25									TSSOP, TSSOP8,.25	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	512	PLASTIC/EPOXY	SOIC	5.38	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	不推荐	Microchip Technology Inc	RECTANGULAR	TSSOP	5 V	512 words	3 MHz	25C040X-E/ST					e3	有				EAR99		Matte Tin (Sn)			DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES	8542.32.00.51	EEPROMs	CMOS		DUAL	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant				8	R-PDSO-G8	不合格		5.5 V	5 V	AUTOMOTIVE	4.5 V							SYNCHRONOUS		0.005 mA						512X8			1.2 mm	8					0.000001 A	4096 bit				SERIAL				EEPROM		SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5 ms	200	HARDWARE/SOFTWARE								4.4 mm	3 mm
24AA1026T-I/SM	Microchip Technology	数据表	4850 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)	8	Non-Volatile					-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2011		e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					200 YEARS DATA RETENTION				1.7V~5.5V	DUAL		260	1	5V	1.27mm			40	24AA1026	8				5.5V			1.7V	I2C, Serial			1Mb 128K x 8		5mA		400kHz		900ns	EEPROM	I2C							8	5ms			1 Mb	0.000005A											I2C	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE				1010DDMR			2.03mm	5.26mm	5.25mm	无	ROHS3 Compliant
SST25VF040B-50-4I-QAE	Microchip Technology	数据表	490 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	8-WDFN Exposed Pad	YES	8				Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	1998	SST25	e3		活跃	1 (Unlimited)	8			Matte Tin (Sn) - annealed							2.7V~3.6V	DUAL			1		1.27mm				SST25VF040B				3.3V	3.6V			2.7V	SPI, Serial			4Mb 512K x 8				50MHz			FLASH	SPI			4MX1				1	10μs			4 Mb											2.7V													6mm	5mm	无	ROHS3 Compliant