GSI Technology GS842Z18CB-100I

工厂交货时间

7 Weeks

包装/外壳

BGA-119

表面安装

YES

终端数量

119

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

100 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

84

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

NBT SRAM

Memory Types

SDR

Package Description

BGA, BGA119,7X17,50

Package Style

网格排列

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA119,7X17,50

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

GS842Z18CB-100I

Clock Frequency-Max (fCLK)

100 MHz

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.36

Part Package Code

BGA

系列

GS842Z18CB

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

NBT Pipeline/Flow Through

附加功能

FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

4 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

130 mA

访问时间

12 ns

组织结构

256 k x 18

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.99 mm

内存宽度

18

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.045 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

14 mm

长度

22 mm