类别是'category.存储器' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

电压

界面

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

电源电流

操作模式

时钟频率

电源电流-最大值

访问时间

逻辑功能

内存格式

内存接口

建筑学

数据总线宽度

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

产品类别

密度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

筛选水平

访问时间(最大)

并行/串行

I/O类型

同步/异步

字长

内存IC类型

编程电压

串行总线类型

耐力

写入周期时间 - 最大值

数据保持时间

写入保护

待机电压-最小值

备用内存宽度

数据轮询

拨动位

扇区/尺寸数

行业规模

时间格式

页面尺寸

引导模块

产品类别

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

CY7C1318CV18-250BZXC
CY7C1318CV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp 数据表

26 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

165-LBGA

165

Volatile

0°C~70°C TA

Tray

2003

e1

Obsolete

3 (168 Hours)

165

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

流水线结构

1.7V~1.9V

BOTTOM

260

1

1.8V

40

CY7C1318

165

1.8V

18Mb 1M x 18

1

730mA

250MHz

450 ps

SRAM

Parallel

3-STATE

18

20b

18 Mb

0.3A

COMMON

Synchronous

18b

ROHS3 Compliant

无铅

IS43DR16320E-25DBL
IS43DR16320E-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

84-TFBGA

YES

Volatile

Commercial grade

0°C~85°C TC

Tray

活跃

3 (168 Hours)

84

EAR99

AUTO/SELF REFRESH

1.7V~1.9V

BOTTOM

未说明

1

1.8V

0.8mm

未说明

R-PBGA-B84

1.9V

1.7V

512Mb 32M x 16

1

SYNCHRONOUS

400MHz

400ns

DRAM

Parallel

32MX16

16

15ns

536870912 bit

1.2mm

10.5mm

8mm

ROHS3 Compliant

CY14B101KA-ZS45XI
CY14B101KA-ZS45XI
Cypress Semiconductor Corp 数据表

1382 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

Gold, Tin

表面贴装

表面贴装

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

44

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tray

2005

e4

活跃

3 (168 Hours)

44

EAR99

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

8542.32.00.41

2.7V~3.6V

DUAL

260

1

3V

0.8mm

30

CY14B101

44

3V

3.6V

2.7V

1Mb 128K x 8

52mA

Clock

NVSRAM

Parallel

8b

64KX16

16

45ns

1 Mb

0.005A

45 ns

8b

8

HH:MM:SS

1.194mm

18.415mm

ROHS3 Compliant

CY62128ELL-55SXET
CY62128ELL-55SXET
Cypress Semiconductor Corp 数据表

23 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

表面贴装

32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)

32

Volatile

-40°C~125°C TA

Tape & Reel (TR)

2001

MoBL®

e4

活跃

3 (168 Hours)

32

EAR99

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

4.5V~5.5V

DUAL

1

5V

CY62128

5V

5V

1Mb 128K x 8

1

35mA

SRAM

Parallel

3-STATE

8

55ns

17b

1 Mb

0.00003A

55 ns

COMMON

Asynchronous

8b

2V

2.997mm

20.4465mm

ROHS3 Compliant

无铅

CY62137VNLL-70ZSXAT
CY62137VNLL-70ZSXAT
Cypress Semiconductor Corp 数据表

47 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

44-TSOP II

Volatile

-40°C~85°C TA

Tape & Reel (TR)

2006

MoBL®

Obsolete

3 (168 Hours)

85°C

-40°C

2.7V~3.6V

CY62137

3V

Parallel

3.6V

2.7V

2Mb 128K x 16

1

70ns

SRAM

Parallel

70ns

17b

2 Mb

ROHS3 Compliant

无铅

S29GL128S10DHB020
S29GL128S10DHB020
Cypress Semiconductor Corp 数据表

12 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

表面贴装

64-LBGA

YES

64

Non-Volatile

-40°C~105°C TA

Tray

2015

Automotive, AEC-Q100, GL-S

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

64

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

8542.32.00.51

2.7V~3.6V

BOTTOM

260

1

3V

1mm

未说明

3.6V

2.7V

128Mb 8M x 16

ASYNCHRONOUS

100ns

FLASH

Parallel

16MX8

8

60ns

134217728 bit

3V

1.4mm

9mm

9mm

ROHS3 Compliant

IS61WV25632BLL-10BLI
IS61WV25632BLL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

2 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

90-TFBGA

YES

90

Industrial grade

Volatile

-40°C~85°C TA

Tray

e1

yes

活跃

3 (168 Hours)

90

3A991

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

2.4V~3.6V

BOTTOM

260

1

3.3V

0.8mm

10

90

3.3V

3.6V

8Mb 256K x 32

4

90mA

SRAM

Parallel

256KX32

32

10ns

18b

8 Mb

10 ns

Asynchronous

32b

13mm

ROHS3 Compliant

MX25L6435EM2I-10G
MX25L6435EM2I-10G
Macronix 数据表

92 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

YES

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tube

2009

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

不用于新设计

3 (168 Hours)

8

IT ALSO CONFIGURED AS 64M X 1

2.7V~3.6V

DUAL

未说明

1

3.3V

1.27mm

unknown

未说明

R-PDSO-G8

不合格

3.6V

3/3.3V

2.7V

SPI, Serial

64Mb 8M x 8

SYNCHRONOUS

104MHz

0.035mA

FLASH

SPI

16MX4

4

300μs, 5ms

0.00002A

67108864 bit

2.7V

SPI

100000 Write/Erase Cycles

20

HARDWARE/SOFTWARE

2

2.16mm

5.28mm

5.23mm

ROHS3 Compliant

无铅

M24C64-DRMN8TP/K
M24C64-DRMN8TP/K
STMicroelectronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

8

Automotive grade

Non-Volatile

-40°C~105°C TA

Cut Tape (CT)

Automotive, AEC-Q100

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

1.8V~5.5V

DUAL

未说明

1

2.5V

1.27mm

未说明

M24C64

5.5V

2-Wire, I2C, Serial

64Kb 8K x 8

SYNCHRONOUS

1MHz

450ns

EEPROM

I2C

8

4ms

65536 bit

I2C

4ms

1.75mm

4.9mm

3.9mm

ROHS3 Compliant

93C46CT-E/MNY
93C46CT-E/MNY
Microchip Technology 数据表

1549 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-WFDFN Exposed Pad

8

Non-Volatile

-40°C~125°C TA

Tape & Reel (TR)

2008

e4

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

4.5V~5.5V

DUAL

260

0.5mm

40

93C46C

不合格

5V

Serial

1Kb 128 x 8 64 x 16

2mA

3MHz

200 ns

EEPROM

SPI

64X16

16

2ms

1 kb

0.000005A

MICROWIRE

1000000 Write/Erase Cycles

200

SOFTWARE

8

ROHS3 Compliant

CY7C056V-15AXC
CY7C056V-15AXC
Cypress Semiconductor Corp 数据表

561 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

144-LQFP

144

Volatile

0°C~70°C TA

Tray

1997

e3

Obsolete

3 (168 Hours)

144

Matte Tin (Sn)

AUTOMATIC POWER-DOWN

3V~3.6V

QUAD

260

1

3.3V

0.5mm

15GHz

30

CY7C056

144

3.3V

3.465V

3.135V

576Kb 16K x 36

2

360mA

SRAM

Parallel

16KX36

3-STATE

36

15ns

28b

576 kb

0.00005A

15 ns

COMMON

Asynchronous

36b

2V

1.6mm

ROHS3 Compliant

无铅

MX25L6435EMI-10G
MX25L6435EMI-10G
Macronix 数据表

5 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tube

2014

MX25xxx35/36 - MXSMIO™

e3

不用于新设计

3 (168 Hours)

Matte Tin (Sn)

2.7V~3.6V

260

40

不合格

3/3.3V

SPI, Serial

64Mb 8M x 8

104MHz

FLASH

SPI

300μs, 5ms

SPI

100000 Write/Erase Cycles

20

HARDWARE/SOFTWARE

ROHS3 Compliant

无铅

AT24C128-10TI-2.7
AT24C128-10TI-2.7
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

8

8-TSSOP

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

85°C

-40°C

2.7V~5.5V

1MHz

AT24C128

2-Wire, I2C, Serial

5.5V

2.7V

128Kb 16K x 8

3mA

1MHz

550ns

EEPROM

I2C

10ms

128 kb

400kHz

Non-RoHS Compliant

含铅

JS28F640P30BF75A
JS28F640P30BF75A
Micron Technology Inc. 数据表

551 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

YES

56

Non-Volatile

-40°C~85°C TA

Tray

1996

StrataFlash™

Obsolete

3 (168 Hours)

56

1.7V~2V

DUAL

0.5mm

JS28F640

1.8V

1.81.8/3.3V

1.7V

Parallel, Serial

64Mb 4M x 16

28mA

40MHz

FLASH

Parallel

4MX16

16

75ns

22b

64 Mb

0.000055A

75 ns

Asynchronous

16b

NO

NO

463

16K64K

8words

BOTTOM

ROHS3 Compliant

GS71108AGU-8
GS71108AGU-8
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

YES

48

5.22

BGA

TFBGA,

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

3

128000

PLASTIC/EPOXY

未说明

8 ns

70 °C

GS71108AGU-8

131072 words

3.3 V

TFBGA

RECTANGULAR

GSI技术

活跃

GSI TECHNOLOGY

e1

3A991.B.2.B

锡银铜

8542.32.00.41

CMOS

BOTTOM

BALL

260

1

0.75 mm

compliant

48

R-PBGA-B48

不合格

3.6 V

COMMERCIAL

3 V

ASYNCHRONOUS

128KX8

1.2 mm

8

1048576 bit

PARALLEL

标准SRAM

8 mm

6 mm

GS71108AGU-12I
GS71108AGU-12I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

YES

48

活跃

GSI TECHNOLOGY

5.22

BGA

TFBGA,

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

3

128000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

未说明

12 ns

85 °C

GS71108AGU-12I

131072 words

3.3 V

TFBGA

RECTANGULAR

GSI技术

e1

3A991.B.2.B

锡银铜

8542.32.00.41

CMOS

BOTTOM

BALL

260

1

0.75 mm

compliant

48

R-PBGA-B48

不合格

3.6 V

INDUSTRIAL

3 V

ASYNCHRONOUS

128KX8

1.2 mm

8

1048576 bit

PARALLEL

标准SRAM

8 mm

6 mm

GS81302TT07E-450I
GS81302TT07E-450I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaDDR-II+

DDR-II

450 MHz

FBGA

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

8 Bit

1.9 V

450 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302TT07E

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

165

144 Mbit

1.01 A

0.45

16 M x 8

SRAM

144

SRAM

GS81302S09GE-375I
GS81302S09GE-375I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

表面贴装

375 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaSIO DDR-II

Details

DDR-II

Industrial grade

375 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302S09GE

SigmaSIO DDR-II

Memory & Data Storage

165

144 Mbit

2

1.005 A

Pipelined

16 M x 9

23 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS881Z32CD-200I
GS881Z32CD-200I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

200 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

SDR

Tray

GS881Z32CD

NBT Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

160 mA, 190 mA

6.5 ns

256 k x 32

SRAM

SRAM

GS81302DT10E-400I
GS81302DT10E-400I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

400 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

QDR-II

Industrial grade

400 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

表面贴装

-40 to 100 °C

Tray

GS81302DT10E

SigmaQuad-II+ B4

Memory & Data Storage

165

144 Mbit

2

1.065 A

Pipelined

16 M x 9

22 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS81302D11GE-500I
GS81302D11GE-500I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

表面贴装

500 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

SigmaQuad-II+

Details

QDR-II

Industrial grade

500 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

9 Bit

1.9 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302D11GE

SigmaQuad-II+

Memory & Data Storage

165

144 Mbit

2

1.27 A

Pipelined

16 M x 9

22 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS81302T07GE-350I
GS81302T07GE-350I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

表面贴装

350 MHz

+ 85 C

1.9 V

- 40 C

10

1.7 V

DDR-II

Details

SigmaDDR-II+

GSI技术

GSI技术

Parallel

SMD/SMT

Industrial grade

350 MHz

FBGA

DDR

1.8000 V

1.7 V

Synchronous

16 MWords

8 Bit

1.9 V

-40 to 100 °C

Tray

GS81302T07GE

SigmaDDR-II+ B2

Memory & Data Storage

165

144 Mbit

1

810 mA

Pipelined

16 M x 8

23 Bit

SRAM

144 Mbit

Industrial

SRAM

GS882Z36CGD-250I
GS882Z36CGD-250I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-165

250 MHz

+ 85 C

3.6 V

- 40 C

72

2.3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

NBT SRAM

Details

SDR

Tray

GS882Z36CGD

NBT Pipeline/Flow Through

Memory & Data Storage

9 Mbit

175 mA, 215 mA

5.5 ns

256 k x 36

SRAM

SRAM

GS81302DT38E-500I
GS81302DT38E-500I
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

BGA-165

YES

165

500 MHz

FBGA

QDR

1.8000 V

Synchronous

4 MWords

36 Bit

表面贴装

QDR-II

SigmaQuad-II+

GSI技术

GSI技术

Parallel

SMD/SMT

1.7 V

10

- 40 C

1.9 V

+ 85 C

500 MHz

LBGA,

GRID ARRAY, LOW PROFILE

4000000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

未说明

0.45 ns

85 °C

GS81302DT38E-500I

1.8 V

LBGA

RECTANGULAR

不推荐

GSI TECHNOLOGY

5.06

BGA

Industrial grade

-40 to 100 °C

Tray

GS81302DT38E

3A991.B.2.B

SigmaQuad-II+

流水线结构

8542.32.00.41

Memory & Data Storage

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

1 mm

compliant

165

R-PBGA-B165

不合格

1.9 V

INDUSTRIAL

1.7 V

144 Mbit

2

SYNCHRONOUS

1.67 A

Pipelined

4 M x 36

1.5 mm

36

20 Bit

SRAM

144 Mbit

150994944 bit

Industrial

PARALLEL

QDR SRAM

SRAM

17 mm

15 mm

GS74116AX-10E
GS74116AX-10E
GSI Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

BGA-48

3.6 V

135

3 V

SMD/SMT

Parallel

GSI技术

GSI技术

N

GS74116AX

Asynchronous

Memory & Data Storage

4 Mbit

105 mA

10 ns

256 k x 16

SRAM

SRAM