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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量				Current - Supply (Nom)																																											操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	电压 - 供电（最大值）	电压 - 供电（最小值）	产品类别	长度	宽度
GS8182D18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	250 MHz	+ 85 C		1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR										Tray		GS8182D18BGD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																	18 Mbit				430 mA					1 M x 18					SRAM																		SRAM
GS88218CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119			150 MHz	+ 85 C	3.6 V		- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel										GS88218CB																														9 Mbit				140 mA, 150 mA	7.5 ns				512 k x 18
GS8672Q19BE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 85 C		1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II									有	375 MHz		Tray		GS8672Q19BE							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																	72 Mbit				1.32 A					4 M x 18					SRAM			72															SRAM
GS882Z18CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	有	200 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	42	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR										Tray		GS882Z18CGB							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	9 Mbit				150 mA, 175 mA	6.5 ns				512 k x 18					SRAM																		SRAM
GS8672Q18BGE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			200 MHz	+ 85 C	1.9 V		- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel																																								72 Mbit				870 mA					4 M x 18								72
GS8672Q18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V									N	400 MHz	Parallel			Tray		GS8672Q18BE							SigmaQuad-II																							72 Mbit				1.36 A					4 M x 18								72
GS8672Q37BGE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	300 MHz	+ 70 C		1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II										Tray		GS8672Q37BGE							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																	72 Mbit				1.48 A					2 M x 36					SRAM			72															SRAM
TMS28F010A-10C4FML	Texas Instruments	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
AT28C256E-30FM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8160E36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	250 MHz	+ 100 C		3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR										Tray		GS8160E36DGT							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	18 Mbit				250 mA, 270 mA	5.5 ns				512 k x 36					SRAM																		SRAM
GS881Z32CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	200 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR										Tray		GS881Z32CGT							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	9 Mbit				160 mA, 190 mA	6.5 ns				256 k x 32					SRAM																		SRAM
GS881Z32CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	有	150 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR										Tray		GS881Z32CGT							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	9 Mbit				150 mA, 160 mA	7.5 ns				256 k x 32					SRAM																		SRAM
CY7C4022KV13-106FCXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	41 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	21 Weeks	表面贴装	361-BBGA, FCBGA	YES				Volatile				0°C~70°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	361	3A991.B.2.A						8542.32.00.41			1.3V	BOTTOM		未说明	1	1mm			未说明		S-PBGA-B361					72Mb 4M x 18			1066MHz			SRAM	Parallel		4MX18			18						75497472 bit												1.34V	1.26V		2.765mm	21mm	21mm		ROHS3 Compliant
AT28C256E-25FM/883	Microchip Technology	数据表	2691 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23 Weeks	Lead, Tin	表面贴装	表面贴装	28-CFlatPack	28	28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	50mA	Military grade			Non-Volatile	-55°C~125°C TC	Tube	1997				活跃	3 (168 Hours)					125°C	-55°C					5V							250GHz		AT28C256					Parallel, SPI	256Kb 32K x 8					250ns	EEPROM	Parallel						10ms			256 kb														5.5V	4.5V						Non-RoHS Compliant	含铅
M27C256B-12B1	STMicroelectronics	数据表	200 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	28-DIP (0.600, 15.24mm)	28	50mA				Non-Volatile			0°C~70°C TA	Tube			e3		Obsolete	1 (Unlimited)	28	EAR99		Matte Tin (Sn)				8542.32.00.71			5V	DUAL		245	1	2.54mm		120GHz	未说明	M27C256		不合格	5V			256Kb 32K x 8		ASYNCHRONOUS			120ns	EPROM	Parallel		32KX8	3-STATE		8				256 kb	0.0001A					COMMON											5.08mm	36.83mm	15.24mm		ROHS3 Compliant	无铅
25AA040XT-I/ST	Microchip Technology	数据表	9000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	5mA				Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2006		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES				2.5V	DUAL		260	1	0.65mm			40	25AA040			2/5V		SPI, Serial	4Kb 512 x 8			1MHz		475 ns	EEPROM	SPI					8	5ms			4 kb	0.000001A							SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE		5.5V			1.2mm	4.4mm	3mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C144AV-25AC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	101 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	64-LQFP	YES	64				Volatile				0°C~70°C TA	Tray	2005		e0		Obsolete	3 (168 Hours)	64	EAR99		锡铅				8542.32.00.41			3.3V	QUAD		235	1	0.8mm	not_compliant		未说明	CY7C144	S-PQFP-G64	不合格	3.3V			64Kb 8K x 8	2			0.165mA		SRAM	Parallel		8KX8	3-STATE		8	25ns				0.00005A	65536 bit		25 ns		COMMON							2V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm		Non-RoHS Compliant
S29GL064S80DHIV10	Cypress Semiconductor Corp	数据表	5 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	64-LBGA	YES	64			Non-Volatile				-40°C~85°C TA	Tray	2015	GL-S			活跃	3 (168 Hours)	64							8542.32.00.51			3V	BOTTOM			1	1mm										64Mb 8M x 8 4M x 16		ASYNCHRONOUS			80ns	FLASH	Parallel		8MX8			8	60ns			64 Mb							3V							3.6V	2.7V		1.4mm	9mm	9mm		ROHS3 Compliant
GS8342S18BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade								350 MHz	FBGA	DDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342S18BGD							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage																36 Mbit	2			665 mA				Pipelined	2 M x 18					20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial											SRAM
GS8161E36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	UNSPECIFIED	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS8161E36DGT-200I	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP					有	200 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT		Tray		GS8161E36DGT						3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant			R-XQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL		18 Mbit		SYNCHRONOUS		230 mA	6.5 ns				512 k x 36			36			SRAM		18874368 bit	PARALLEL		缓存SRAM							2.7 V	2.3 V	SRAM
GS8342DT11BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade								450 MHz	FBGA	1.8000 V		1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	0 to 85 °C	Tray		GS8342DT11BD							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																	36 Mbit			785 mA	0.45				4 M x 9						SRAM			36	Commercial											SRAM
GS8342T18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade								250 MHz	FBGA	DDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS8342T18BD							SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage																36 Mbit	1			395 mA				Pipelined	2 M x 18					21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial											SRAM
GS8321Z36AD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	165	165	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	4.78	BGA	Industrial grade						153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V		2.3, 3 V	36 Bit	2.7, 3.6 V	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	无	GS8321Z36AD-200I	1048576 words	2.5 V	LBGA	-40 to 100 °C				e0	无				3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)			IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant				R-PBGA-B165	不合格					SYNCHRONOUS			6.5@Flow-Through/3@P				1MX36		1.4 mm	36						36	Industrial		PARALLEL		ZBT SRAM					2.7 V	2.3 V			15 mm	13 mm
GS816236DGD-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade								200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	FBGA	SDR		1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS816236DGD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																18 Mbit	4			240 mA, 310 mA	5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial											SRAM
GS8342QT07BGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks				BGA-165	YES	165		165	200 MHz	FBGA	QDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	有	GS8342QT07BGD-200I	200 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray		GS8342QT07BGD	e1	有				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B2	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant				R-PBGA-B165	不合格	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL		36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	565 mA		Pipelined	4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8		21 Bit	SRAM	36 Mbit	33554432 bit	Industrial		PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V	1.9 V	1.7 V	SRAM	15 mm	13 mm