category.集成电路IC_category.集成电路IC品牌厂家，型号_价格_规格

类别是'category.存储器' (10000)

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																																												操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	电压	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	逻辑功能	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	无卤素	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	密度	记忆密度	最高频率	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	同步/异步	行业规模	引导模块	产品类别
CAT25080LI-G	ON Semiconductor	数据表	762 In Stock	1: ¥4.630695 10: ¥4.368578 100: ¥4.121298 500: ¥3.888021 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	Gold	通孔	通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	8	Industrial grade					Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2006		e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99					100 YEAR DATA RETENTION				1.8V~5.5V	DUAL			1	5V	2.54mm				CAT25080	8				5.5V	2/5V		2.5V		2-Wire, SPI, Serial			8Kb 1K x 8		2mA		20MHz		40 ns		EEPROM	SPI					无卤素			5ms			8 kb	0.000002A											SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	100	HARDWARE/SOFTWARE										4.95mm		10.16mm	7.11mm	无	无SVHC	符合RoHS标准	无铅
IS43DR16320E-25DBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	20 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	84-TFBGA	YES						Volatile	Commercial grade		0°C~85°C TC	Tray					活跃	3 (168 Hours)	84	EAR99					AUTO/SELF REFRESH				1.7V~1.9V	BOTTOM		未说明	1	1.8V	0.8mm			未说明			R-PBGA-B84			1.9V			1.7V					512Mb 32M x 16	1		SYNCHRONOUS	400MHz		400ns		DRAM	Parallel			32MX16				16	15ns					536870912 bit																									1.2mm	10.5mm	8mm			ROHS3 Compliant
CY14B101KA-ZS45XI	Cypress Semiconductor Corp	数据表	1382 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Gold, Tin	表面贴装	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44			Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tray	2005		e4		活跃	3 (168 Hours)	44	EAR99		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)				8542.32.00.41			2.7V~3.6V	DUAL		260	1	3V	0.8mm			30	CY14B101	44			3V	3.6V			2.7V					1Mb 128K x 8		52mA					Clock	NVSRAM	Parallel		8b	64KX16				16	45ns			1 Mb	0.005A				45 ns				8b									8					HH:MM:SS				1.194mm	18.415mm		无		ROHS3 Compliant
CY62128ELL-55SXET	Cypress Semiconductor Corp	数据表	23 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)	32						Volatile	-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)	2001	MoBL®	e4		活跃	3 (168 Hours)	32	EAR99		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)							4.5V~5.5V	DUAL			1	5V					CY62128				5V		5V							1Mb 128K x 8	1	35mA						SRAM	Parallel				3-STATE			8	55ns	17b		1 Mb	0.00003A				55 ns		COMMON	Asynchronous	8b								2V										2.997mm	20.4465mm		无		ROHS3 Compliant	无铅
CY62137VNLL-70ZSXAT	Cypress Semiconductor Corp	数据表	47 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)	44-TSOP II						Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2006	MoBL®			Obsolete	3 (168 Hours)					85°C	-40°C					2.7V~3.6V										CY62137				3V						Parallel	3.6V	2.7V	2Mb 128K x 16	1					70ns		SRAM	Parallel								70ns	17b		2 Mb																																ROHS3 Compliant	无铅
S29GL128S10DHB020	Cypress Semiconductor Corp	数据表	12 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	64-LBGA	YES	64						Non-Volatile	-40°C~105°C TA	Tray	2015	Automotive, AEC-Q100, GL-S	e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	64			Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)				8542.32.00.51			2.7V~3.6V	BOTTOM		260	1	3V	1mm			未说明						3.6V			2.7V					128Mb 8M x 16			ASYNCHRONOUS			100ns		FLASH	Parallel			16MX8				8	60ns					134217728 bit									3V																1.4mm	9mm	9mm			ROHS3 Compliant
IS61WV25632BLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	2 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	90-TFBGA	YES	90	Industrial grade						Volatile	-40°C~85°C TA	Tray			e1	yes	活跃	3 (168 Hours)	90	3A991		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)							2.4V~3.6V	BOTTOM		260	1	3.3V	0.8mm			10		90			3.3V	3.6V								8Mb 256K x 32	4	90mA						SRAM	Parallel			256KX32				32	10ns	18b		8 Mb					10 ns			Asynchronous	32b																			13mm		无		ROHS3 Compliant
MX25L6435EM2I-10G	Macronix	数据表	92 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)	YES							Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube	2009	MX25xxx35/36 - MXSMIO™			不用于新设计	3 (168 Hours)	8						IT ALSO CONFIGURED AS 64M X 1				2.7V~3.6V	DUAL		未说明	1	3.3V	1.27mm	unknown		未说明			R-PDSO-G8	不合格		3.6V	3/3.3V		2.7V		SPI, Serial			64Mb 8M x 8			SYNCHRONOUS	104MHz	0.035mA			FLASH	SPI			16MX4				4	300μs, 5ms				0.00002A	67108864 bit									2.7V	SPI	100000 Write/Erase Cycles		20	HARDWARE/SOFTWARE		2									2.16mm	5.28mm	5.23mm			ROHS3 Compliant	无铅
M24C64-DRMN8TP/K	STMicroelectronics	数据表	N/A	1: ¥5.024530 10: ¥4.740122 100: ¥4.471814 500: ¥4.218693 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	8	Automotive grade					Non-Volatile	-40°C~105°C TA	Cut Tape (CT)		Automotive, AEC-Q100			活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99									1.8V~5.5V	DUAL		未说明	1	2.5V	1.27mm			未说明	M24C64					5.5V					2-Wire, I2C, Serial			64Kb 8K x 8			SYNCHRONOUS	1MHz		450ns		EEPROM	I2C							8	4ms					65536 bit										I2C		4ms													1.75mm	4.9mm	3.9mm			ROHS3 Compliant
JS28F640P30BF75A	Micron Technology Inc.	数据表	551 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	YES	56							Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tray	1996	StrataFlash™			Obsolete	3 (168 Hours)	56										1.7V~2V	DUAL					0.5mm				JS28F640				1.8V		1.81.8/3.3V			1.7V	Parallel, Serial			64Mb 4M x 16		28mA		40MHz				FLASH	Parallel			4MX16				16	75ns	22b		64 Mb	0.000055A				75 ns			Asynchronous	16b										NO	NO	463	16K64K		8words	BOTTOM					无		ROHS3 Compliant
CY7C056V-15AXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	561 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	144-LQFP	144							Volatile	0°C~70°C TA	Tray	1997		e3		Obsolete	3 (168 Hours)	144			Matte Tin (Sn)			AUTOMATIC POWER-DOWN				3V~3.6V	QUAD		260	1	3.3V	0.5mm		15GHz	30	CY7C056	144			3.3V	3.465V			3.135V					576Kb 16K x 36	2	360mA						SRAM	Parallel			16KX36	3-STATE			36	15ns	28b		576 kb	0.00005A				15 ns		COMMON	Asynchronous	36b								2V										1.6mm			无		ROHS3 Compliant	无铅
93C46CT-E/MNY	Microchip Technology	数据表	1549 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad	8						Non-Volatile	-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)	2008		e4		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)							4.5V~5.5V	DUAL		260			0.5mm			40	93C46C			不合格	5V						Serial			1Kb 128 x 8 64 x 16		2mA		3MHz		200 ns		EEPROM	SPI			64X16				16	2ms			1 kb	0.000005A											MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles		200	SOFTWARE		8														ROHS3 Compliant
AT24C128-10TI-2.7	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	8-TSSOP						Non-Volatile	-40°C~85°C TA	Tube					Obsolete	1 (Unlimited)					85°C	-40°C					2.7V~5.5V								1MHz		AT24C128										2-Wire, I2C, Serial	5.5V	2.7V	128Kb 16K x 8		3mA		1MHz		550ns		EEPROM	I2C								10ms			128 kb			400kHz																													Non-RoHS Compliant	含铅
MX25L6435EMI-10G	Macronix	数据表	5 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)						Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	2014	MX25xxx35/36 - MXSMIO™	e3		不用于新设计	3 (168 Hours)				Matte Tin (Sn)							2.7V~3.6V			260						40				不合格			3/3.3V				SPI, Serial			64Mb 8M x 8				104MHz				FLASH	SPI								300μs, 5ms															SPI	100000 Write/Erase Cycles		20	HARDWARE/SOFTWARE																ROHS3 Compliant	无铅
GS71108AGU-8	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	5.22	BGA								TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	8 ns	70 °C	有	GS71108AGU-8	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY					e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜				8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant				48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		COMMERCIAL	3 V								ASYNCHRONOUS									128KX8			1.2 mm	8						1048576 bit				PARALLEL			标准SRAM																8 mm	6 mm
GS71108AGU-12I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	YES	48	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA								TFBGA,	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	3	128000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	12 ns	85 °C	有	GS71108AGU-12I	131072 words	3.3 V	TFBGA	RECTANGULAR	GSI技术					e1	有				3A991.B.2.B		锡银铜				8542.32.00.41		CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		0.75 mm	compliant				48	R-PBGA-B48	不合格		3.6 V		INDUSTRIAL	3 V								ASYNCHRONOUS									128KX8			1.2 mm	8						1048576 bit				PARALLEL			标准SRAM																8 mm	6 mm
GS81302TT07E-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR-II										450 MHz	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302TT07E							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													165												144 Mbit					1.01 A	0.45						16 M x 8							SRAM			144																					SRAM
GS81302S09GE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	Details	DDR-II	Industrial grade										375 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302S09GE							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage													165												144 Mbit	2				1.005 A					Pipelined		16 M x 9						23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																			SRAM
GS881Z32CD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR										Tray		GS881Z32CD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																									9 Mbit					160 mA, 190 mA	6.5 ns						256 k x 32							SRAM																										SRAM
GS81302DT10E-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II	Industrial grade										400 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	-40 to 100 °C	Tray		GS81302DT10E							SigmaQuad-II+ B4						Memory & Data Storage													165												144 Mbit	2				1.065 A					Pipelined		16 M x 9						22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																			SRAM
GS81302D11GE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	表面贴装	有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	Industrial grade										500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	9 Bit	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302D11GE							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage													165												144 Mbit	2				1.27 A					Pipelined		16 M x 9						22 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																			SRAM
GS81302T07GE-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	表面贴装	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	10	1.7 V	DDR-II	Details	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	Industrial grade										350 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	16 MWords	8 Bit	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS81302T07GE							SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage													165												144 Mbit	1				810 mA					Pipelined		16 M x 8						23 Bit	SRAM	144 Mbit			Industrial																			SRAM
GS882Z36CGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								Tray		GS882Z36CGD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																									9 Mbit					175 mA, 215 mA	5.5 ns						256 k x 36							SRAM																										SRAM
GS81302DT38E-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES			165	500 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	36 Bit	表面贴装	QDR-II	SigmaQuad-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	10	- 40 C	1.9 V	+ 85 C	500 MHz	有	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS81302DT38E-500I	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	不推荐	GSI TECHNOLOGY	5.06	BGA	Industrial grade					-40 to 100 °C	Tray		GS81302DT38E		无				3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V		INDUSTRIAL	1.7 V					144 Mbit	2		SYNCHRONOUS		1.67 A				Pipelined		4 M x 36			1.5 mm	36		20 Bit	SRAM	144 Mbit		150994944 bit	Industrial	PARALLEL			QDR SRAM			SRAM	17 mm	15 mm
GS74116AX-10E	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-48									3.6 V	135	3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	N					GS74116AX							Asynchronous						Memory & Data Storage																									4 Mbit					105 mA	10 ns						256 k x 16							SRAM																										SRAM