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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量			Current - Supply (Nom)																																										操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	JESD-30代码	资历状况	电源	温度等级	界面	端口的数量	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	输出特性	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	记忆密度	筛选水平	访问时间（最大）	并行/串行	I/O类型	内存IC类型
GS8161E32DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100			有	200 MHz		+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR								Tray		GS8161E32DGT							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	18 Mbit				225 mA, 230 mA	6.5 ns				512 k x 32						SRAM																SRAM
GS8161E32DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165					150 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel																																						18 Mbit				200 mA, 210 mA	7.5 ns				512 k x 32
GS816218DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			有	250 MHz		+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR								Tray		GS816218DD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	18 Mbit				210 mA, 230 mA	5.5 ns				1 M x 18						SRAM																SRAM
GS8182Q09BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade									333 MHz	QDR		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	-40 to 85 °C	Tray		GS8182Q09BD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																	18 Mbit	2			870 mA				Pipelined	2 M x 9					20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial										SRAM
GS8182Q09BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			有	200 MHz		+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR								Tray		GS8182Q09BGD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																	18 Mbit				500 mA					2 M x 9						SRAM																SRAM
GS8342S09BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			有	400 MHz		+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR								Tray		GS8342S09BGD							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage																	36 Mbit				705 mA					4 M x 9						SRAM			36													SRAM
GS88218CB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119					150 MHz	+ 85 C		3.6 V	- 40 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel								GS88218CB																														9 Mbit				140 mA, 150 mA	7.5 ns				512 k x 18
GS8672T36BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	有	300 MHz		+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II										Tray		GS8672T36BE							SigmaDDR-II						Memory & Data Storage																	72 Mbit				1.2 A					2 M x 36						SRAM			72													SRAM
GS8672T36BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165			有	333 MHz		+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II								Tray		GS8672T36BGE							SigmaDDR-II						Memory & Data Storage																	72 Mbit				1.26 A					2 M x 36						SRAM			72													SRAM
CAT24C128YIGT3JN	ON Semiconductor	数据表	71503 In Stock	1: ¥5.211823 10: ¥4.916813 100: ¥4.638503 500: ¥4.375944 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Gold, Nickel	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)						Non-Volatile		-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2004				活跃	1 (Unlimited)											1.8V~5.5V									CAT24C128					2-Wire, I2C, Serial	128Kb 16K x 8			1MHz		400ns	EEPROM	I2C						5ms																									ROHS3 Compliant
25AA040XT-I/ST	Microchip Technology	数据表	9000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	5mA		Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2006		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99					DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES				2.5V	DUAL		260	1	0.65mm			40	25AA040			2/5V		SPI, Serial	4Kb 512 x 8			1MHz		475 ns	EEPROM	SPI					8	5ms			4 kb	0.000001A								SPI	1000000 Write/Erase Cycles	5ms	200	HARDWARE/SOFTWARE		5.5V			1.2mm	4.4mm	3mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
CY7C4022KV13-106FCXC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	41 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	21 Weeks	表面贴装	361-BBGA, FCBGA	YES						Volatile		0°C~70°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	361	3A991.B.2.A						8542.32.00.41			1.3V	BOTTOM		未说明	1	1mm			未说明		S-PBGA-B361					72Mb 4M x 18			1066MHz			SRAM	Parallel		4MX18			18						75497472 bit													1.34V	1.26V		2.765mm	21mm	21mm		ROHS3 Compliant
AT28C256E-25FM/883	Microchip Technology	数据表	2691 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23 Weeks	Lead, Tin	表面贴装	表面贴装	28-CFlatPack	28	28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	50mA		Non-Volatile	Military grade		-55°C~125°C TC	Tube	1997				活跃	3 (168 Hours)					125°C	-55°C					5V							250GHz		AT28C256					Parallel, SPI	256Kb 32K x 8					250ns	EEPROM	Parallel						10ms			256 kb															5.5V	4.5V						Non-RoHS Compliant	含铅
S29GL064S80DHIV10	Cypress Semiconductor Corp	数据表	5 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	表面贴装	64-LBGA	YES	64					Non-Volatile		-40°C~85°C TA	Tray	2015	GL-S			活跃	3 (168 Hours)	64							8542.32.00.51			3V	BOTTOM			1	1mm										64Mb 8M x 8 4M x 16		ASYNCHRONOUS			80ns	FLASH	Parallel		8MX8			8	60ns			64 Mb								3V							3.6V	2.7V		1.4mm	9mm	9mm		ROHS3 Compliant
M27C256B-12B1	STMicroelectronics	数据表	200 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	28-DIP (0.600, 15.24mm)	28	50mA						Non-Volatile	0°C~70°C TA	Tube			e3		Obsolete	1 (Unlimited)	28	EAR99		Matte Tin (Sn)				8542.32.00.71			5V	DUAL		245	1	2.54mm		120GHz	未说明	M27C256		不合格	5V			256Kb 32K x 8		ASYNCHRONOUS			120ns	EPROM	Parallel		32KX8	3-STATE		8				256 kb	0.0001A					COMMON												5.08mm	36.83mm	15.24mm		ROHS3 Compliant	无铅
CY7C144AV-25AC	Cypress Semiconductor Corp	数据表	101 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	64-LQFP	YES	64						Volatile		0°C~70°C TA	Tray	2005		e0		Obsolete	3 (168 Hours)	64	EAR99		锡铅				8542.32.00.41			3.3V	QUAD		235	1	0.8mm	not_compliant		未说明	CY7C144	S-PQFP-G64	不合格	3.3V			64Kb 8K x 8	2			0.165mA		SRAM	Parallel		8KX8	3-STATE		8	25ns				0.00005A	65536 bit		25 ns		COMMON								2V	3.6V	3V		1.6mm	14mm	14mm		Non-RoHS Compliant
GS84018CGT-166I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	YES	100	SMD/SMT	SDR	有	72	SyncBurst	3.6 V	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7 ns	85 °C	有	GS84018CGT-166I	262144 words	3.3 V	LQFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.66							Details	166 MHz		Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C		Tray		GS84018CGT						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Pure Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE			CMOS		QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant				R-PQFP-G100			INDUSTRIAL		4 Mbit		SYNCHRONOUS		145 mA, 170 mA	6.5 ns				256 k x 18		1.6 mm	18				4718592 bit			PARALLEL	缓存SRAM					3.6 V	3 V			20 mm	14 mm
GS84036CB-166	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	3.6 V	BGA,	网格排列	128000	PLASTIC/EPOXY	未说明	70 °C	无	GS84036CB-166	131072 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.73							166 MHz	Parallel		2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst		Tray		GS84036CB						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant				R-PBGA-B119			COMMERCIAL		4 Mbit		SYNCHRONOUS		135 mA, 160 mA	7 ns				128 k x 36		1.99 mm	36					4718592 bit		PARALLEL		缓存SRAM						2.7 V	2.3 V	22 mm	14 mm
GS8342S18BGD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO-II	Details	DDR	Commercial grade								350 MHz	FBGA		DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	0 to 85 °C	Tray		GS8342S18BGD							SigmaSIO DDR-II						Memory & Data Storage																	36 Mbit	2			665 mA				Pipelined	2 M x 18					20 Bit	SRAM	36 Mbit		Commercial											SRAM
GS8161E36DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	UNSPECIFIED	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	有	GS8161E36DGT-200I	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.64	QFP					有	200 MHz		+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray		GS8161E36DGT						3A991.B.2.B	DCD Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant				R-XQFP-G100	不合格		INDUSTRIAL		18 Mbit		SYNCHRONOUS		230 mA	6.5 ns				512 k x 36		36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL	缓存SRAM						2.7 V	2.3 V	SRAM
GS8342DT11BD-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade								450 MHz	FBGA		1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	0 to 85 °C	Tray		GS8342DT11BD							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																	36 Mbit				785 mA	0.45				4 M x 9						SRAM			36	Commercial										SRAM
GS8342T18BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade								250 MHz	FBGA		DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	0 to 85 °C	Tray		GS8342T18BD							SigmaDDR-II B2						Memory & Data Storage																	36 Mbit	1			395 mA				Pipelined	2 M x 18					21 Bit	SRAM	36 Mbit		Commercial											SRAM
GS8162Z36DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Industrial grade								153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA		SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	-40 to 100 °C	Tray		GS8162Z36DD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																	18 Mbit	4			230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit		Industrial											SRAM
GS8342QT37BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	165	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade								200 MHz	FBGA		QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	0 to 85 °C	Tray		GS8342QT37BGD							SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage																	36 Mbit	2			640 mA				Pipelined	1 M x 36					19 Bit	SRAM	36 Mbit		Commercial											SRAM
GS8161Z36DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	100	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade								181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP		SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	0 to 85 °C	Tray		GS8161Z36DGT							NBT						Memory & Data Storage																	18 Mbit	4			225 mA, 245 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined	512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit		Commercial											SRAM