类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Country of Assembly | Country of Diffusion | Fall Time | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | ECCN 代码 | 类型 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源电压-最小值(Vsup) | 配置 | 模拟 IC - 其他类型 | 元素配置 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 输出电流-最大值 | 晶体管应用 | 上升时间 | 极性/通道类型 | 输入 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 高度(毫米) | 辐射硬化 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVG600A75L4DSB2 | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 15-PowerDIP Module (2.827", 71.80mm) | AHPM15-CEC | 600 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | VE-Trac™ | Discontinued at Digi-Key | 半桥逆变器 | Standard | 1 mA | 750 V | 1.35V @ 15V, 400A | 场站 | 无 | 36000 pF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG4SC075009K4S | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TO-247-4 | 40 ns | 符合RoHS标准 | - 20 V, + 25 V | SMD/SMT | - 55 C | + 175 C | 106 A | 8.8 mOhms | 114 ns | 24 ns | 750 V | 4.5 V | UG4S | 25 ns | Combo FET | 1.24 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1400R23T2E7PB5BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.85 V | Not Available | Not Available | 400 nA | 2.3 kV | 2.4 MW | - 40 C | + 175 C | AT | 20 V | 螺钉安装 | 4 | XHP | FF1400R23T2E7P_B5 SP006140104 | This product may require additional documentation to export from the United States. | Details | Tray | Dual | Module | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VS-GT75LA60UF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VS-GT50LA65UF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH240B120H3Q1S1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH800A100L4Q2F2S2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH800A100L4Q2F2P2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P2000D45X168HPSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | - | - | - | Infineon Technologies | Tray | P2000D | Obsolete | - | - | Single | Standard | - | - | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF180A60TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 微芯片技术 | Bulk | 220 A | Obsolete | 600 V | Compliant | - | - | 150 °C | -40 °C | 833 W | 半桥 | Dual | 833 W | Standard | 600 V | 220 A | 300 µA | 600 V | 8.6 nF | 2.5V @ 15V, 180A | NPT | 有 | 8.6 nF @ 25 V | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID200A170S3B1 | Global Power | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | D-3 Module | D3 | 400A | -40°C ~ 150°C | Amp+™ | 活跃 | 2 Independent | 1630W | Standard | 1mA | 1200V | 1.9V @ 15V, 200A | -- | 无 | 26nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID300A125S5C1 | Global Power | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | Module | 600A | -40°C ~ 150°C (TJ) | -- | 活跃 | 三级逆变器 | 2500W | Standard | 1mA | 1250V | 2.4V @ 15V, 300A | 沟渠现场停车 | 有 | 30.8nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200A60TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 4 | 600 V | Compliant | 625 W | Standard | 1.9 V | 290 A | 12.3 nF | 有 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF150R17KE4 | Altech | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT20H60T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 3 | 600 V | Compliant | 62 W | Standard | 1.9 V | 32 A | 1.1 nF | 有 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50A120TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 4 | 1.2 kV | Compliant | 277 W | Dual | Standard | 2.1 V | 75 A | 3.6 nF | 有 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IHCS22R60CE | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 20 | GREEN, PLASTIC, MSIP-24/17 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | IHCS22R60CE | 15 V | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.82 | SIP | EAR99 | 8542.39.00.01 | ZIG-ZAG | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | compliant | 24/17 | R-PZFM-T20 | 不合格 | 17.5 V | 12.5 V | 交流电机控制器 | 21.6 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM1000HA-24H | Mitsubishi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Non-Compliant | 1.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12KE3 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 10 | SILICON | UNSPECIFIED | 880 ns | 1140 ns | RECTANGULAR | 2 | Transferred | EUPEC GMBH & CO KG | 5.54 | FF600R12KE3 | Infineon | MODULE-10 | FLANGE MOUNT | Dual | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | R-XUFM-X10 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | N-CHANNEL | 850 A | 1200 V | 38 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120T2P2 | Global Power | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | Module | 200A | -40°C ~ 150°C | Amp+™ | 活跃 | 三相逆变器 | 710W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 100A | -- | 有 | 13.7nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID150A120S6A4 | Global Power | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | Module | 275A | -40°C ~ 150°C | Amp+™ | 活跃 | Single | 1035W | Standard | 1mA | 1200V | 1.9V @ 15V, 150A | -- | 有 | 20.2nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP75R07N2E4_B11 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 31 | SILICON | 1.55 V | 75 A | Details | 650 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X31 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 45 ns | 320 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | RECTANGULAR | 7 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 8.48 | MODULE | FP75R07N2E4_B11 | UL | Infineon | 250 W | + 150 C | 6.349313 oz | - 40 C | 10 | SP000843294 FP75R07N2E4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Tray | 无 | EAR99 | IGBTs | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 31 | R-XUFM-X31 | 3-Phase Inverter | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | IGBT模块 | 250 W | 75 A | 650 V | 20 V | 1.95 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FB30R06W1E3_B1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 22 | SILICON | MODULE | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 42 ns | 245 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | FB30R06W1E3_B1 | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 7 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 7.52 | 无 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 26 | R-XUFM-X22 | 不合格 | COMPLEX | 电源控制 | N-CHANNEL | 115 W | 39 A | 600 V | 20 V | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS15R06VL4_B2 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 15 | SILICON | MODULE-15 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 22 ns | 115 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | FS15R06VL4_B2 | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 6 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.59 | MODULE | 无 | EAR99 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 15 | R-XUFM-X15 | 不合格 | COMPLEX | ISOLATED | N-CHANNEL | 80.5 W | 20 A | 600 V | 20 V | 2.55 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ2400R12KE3 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 7 | SILICON | MODULE | FZ2400R12KE3 | Infineon | MODULE-7 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 890 ns | 1140 ns | 未说明 | 150 °C | 无 | RECTANGULAR | 2 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.57 | 无 | EAR99 | Single | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | COMPLEX | ISOLATED | N-CHANNEL | 10000 W | 3200 A | 1200 V | 20 V | 2.15 V | 38 mm |
NVG600A75L4DSB2
onsemi
分类:Transistors - IGBTs - Modules
UG4SC075009K4S
Qorvo
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FF1400R23T2E7PB5BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
VS-GT75LA60UF
Vishay
分类:Transistors - IGBTs - Modules
VS-GT50LA65UF
Vishay
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH240B120H3Q1S1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH800A100L4Q2F2S2G
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
NXH800A100L4Q2F2P2G
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
P2000D45X168HPSA1
Infineon
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APTGF180A60TG
Microchip
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GSID200A170S3B1
Global Power
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID300A125S5C1
Global Power
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200A60TG
Microchip
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FF150R17KE4
Altech
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APTGT20H60T3G
Microchip
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APTGT50A120TG
Microchip
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IHCS22R60CE
Infineon
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CM1000HA-24H
Mitsubishi
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FF600R12KE3
Infineon
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Global Power
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GSID150A120S6A4
Global Power
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FP75R07N2E4_B11
Infineon
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FB30R06W1E3_B1
Infineon
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FS15R06VL4_B2
Infineon
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FZ2400R12KE3
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
