类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ1600R12KF4S1NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Obsolete | 1 (Unlimited) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM50DY-24H | Powerex Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 1998 | IGBTMOD™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 7 | 400W | UPPER | UNSPECIFIED | 半桥 | ISOLATED | 400W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 3.4V | 50A | 1mA | 1200V | 10nF | 3.4V @ 15V, 50A | 无 | 20V | 10nF @ 10V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM300DU-24F | Powerex Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2001 | IGBTMOD™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 890W | UPPER | UNSPECIFIED | 300A | 半桥 | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.4V | 300A | 1mA | 1200V | 120nF | 2.4V @ 15V, 300A | Trench | 无 | 20V | 120nF @ 10V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MID400-12E4 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | Y3-Li | SILICON | 1.2kV | 1 | 680 ns | -40°C~150°C TJ | Box | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 7 | 1.7kW | UPPER | UNSPECIFIED | MID | 7 | R-XUFM-X7 | Single | ISOLATED | 170 ns | 1700W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.8V | 420A | 3.3mA | 1200V | 17nF | 230 ns | 2.8V @ 15V, 300A | 730 ns | NPT | 无 | 20V | 17nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MII300-12E4 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | Y3-Li | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 11 | FAST SWITCHING, LOW SATURATION VOLTAGE | 1.1kW | UPPER | UNSPECIFIED | MII | 11 | R-XUFM-X11 | 半桥 | ISOLATED | 1100W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.8V | 280A | 3.3mA | 1200V | 11nF | 230 ns | 2.8V @ 15V, 200A | 730 ns | NPT | 无 | 11nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MWI50-12A7 | IXYS | 数据表 | 5000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | 底座安装 | E2 | 2 | SILICON | 1.2kV | 6 | -40°C~150°C TJ | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | UL 认证 | 350W | UPPER | UNSPECIFIED | MWI | 17 | R-XUFM-X11 | 三相逆变器 | ISOLATED | 350W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.7V | 85A | 4mA | 1200V | 3.3nF | 170 ns | 2.7V @ 15V, 50A | 570 ns | NPT | 无 | 3.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM100TF-24H | Powerex Inc. | 数据表 | 2494 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 1.2kV | 6 | -40°C~150°C TJ | 1998 | IGBTMOD™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 19 | 780W | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X19 | 三相逆变器 | ISOLATED | 780W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 3.4V | 100A | 1mA | 1200V | 20nF | 3.4V @ 15V, 100A | 无 | 20V | 20nF @ 10V | Unknown | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM30GD60DLCBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 40A | 6 | -40°C~125°C | yes | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | R-XUFM-X17 | 三相逆变器 | ISOLATED | 135W | N-CHANNEL | Standard | 500μA | 600V | 39 ns | 2.45V @ 15V, 30A | 103 ns | 无 | 1.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSM50GX120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 48 Weeks | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRG5K200HF06A | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | POWIR® 34 Module | 600V | -40°C~150°C TJ | 2014 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 800W | 半桥 | 800W | Standard | 2.1V | 340A | 1mA | 11.9nF | 2.1V @ 15V, 200A | 无 | 11.9nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 30 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 40A | 2 | -40°C~150°C | EasyPACK™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 26 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X26 | 2 Independent | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 40μA | 650V | 17 ns | 1.55V @ 15V, 25A | 40 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100A60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | 2007 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 340W | UPPER | THROUGH-HOLE | 12 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 340W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 6.1nF @ 25V | 1.9 V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT30H60T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | SILICON | 600V | 4 | -40°C~175°C TJ | 2012 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 90W | UPPER | THROUGH-HOLE | 12 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 90W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 50A | 250μA | 1.6nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 30A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 1.6nF @ 25V | 1.9 V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50A170T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 1 | SILICON | 2 | 1.7kV | -40°C~150°C TJ | 2012 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 312W | UPPER | THROUGH-HOLE | 12 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 312W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.4V | 75A | 250μA | 1700V | 4.4nF | 450 ns | 2.4V @ 15V, 50A | 1100 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4.4nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 28 | SILICON | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 50A | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DU120G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | 1.2kV | 2 | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 锡银铜 | 150°C | -40°C | 雪崩 额定 | 690W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | Dual, Common Source | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 220A | 350μA | 1200V | 10.7nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 150A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 10.7nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT300DA120G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SILICON | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 1.38kW | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | ISOLATED | 1380W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 420A | 500μA | 1200V | 21nF | 340 ns | 2.1V @ 15V, 300A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 21nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GP60J | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 600V | 1 | -55°C~150°C TJ | 1999 | POWER MOS 7® | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | 低导通损耗 | 600V | 329W | UPPER | UNSPECIFIED | 100A | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 500μA | 5.7nF | 55 ns | 2.7V @ 15V, 50A | 202 ns | PT | 无 | 5.7nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GT120JU2 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 22 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | SILICON | 1.2kV | 1 | -55°C~150°C TJ | 2006 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS | 347W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 347W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 5mA | 1200V | 3.6nF | 135 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 3.6nF @ 25V | 2.1 V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL475U120D4G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D4 | 4 | SILICON | 1.2kV | 1 | 340 ns | -40°C~175°C TJ | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 2.082kW | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | ISOLATED | 160 ns | 2082W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 610A | 4mA | 1200V | 24.6nF | 210 ns | 2.2V @ 15V, 400A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 24.6nF @ 25V | 2.2 V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT300DU60G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 1.15kW | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | Dual, Common Source | Dual | ISOLATED | 1150W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 430A | 350μA | 24nF | 170 ns | 1.8V @ 15V, 300A | 320 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 24nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | 数据表 | 1 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 25 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | 30.000004g | SILICON | 600V | 1.5V | 1 | 430 ns | -55°C~175°C TJ | 1999 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED | 600V | 536W | UPPER | UNSPECIFIED | 220A | 4 | Single | ISOLATED | 44 ns | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 220A | 50μA | 9.2nF | 154 ns | 1.85V @ 15V, 150A | 575 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 30V | 9.2nF @ 25V | 6.5V | 9.6mm | 38.2mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200A120G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 890W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 890W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 280A | 350μA | 1200V | 14nF | 340 ns | 2.1V @ 15V, 200A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 14nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KT4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 25A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 23 | 不合格 | NPN | 三相逆变器 | ISOLATED | 160W | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 25A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 75A | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 28 | R-XUFM-X28 | 不合格 | 全桥 | ISOLATED | 280W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 |
FZ1600R12KF4S1NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM50DY-24H
Powerex Inc.
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM300DU-24F
Powerex Inc.
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MID400-12E4
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MII300-12E4
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MWI50-12A7
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM100TF-24H
Powerex Inc.
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,568.195703
BSM30GD60DLCBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM50GX120DN2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IRG5K200HF06A
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
229.510543
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS50R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DA120G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GP60J
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DU60G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT150GN60JDQ4
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200A120G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
