MII300-12E4详情
IXYS MII300-12E4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
Y3-Li
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
附加功能
FAST SWITCHING, LOW SATURATION VOLTAGE
最大功率耗散
1.1kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
基本部件号
MII
引脚数量
11
JESD-30代码
R-XUFM-X11
配置
半桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
1100W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.8V
最大集电极电流
280A
最大集极截止电流
3.3mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
11nF
接通时间
230 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 200A
关断时间-标准值(toff)
730 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
11nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
MII300-12E4拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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