类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGF50DH60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP-1 | SP1 | 2.1 V | 65 A | 400 nA | 微芯片技术 | Bulk | 65 A | Obsolete | Details | 600 V | 250 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | 底座安装 | 50 | 2.821917 oz | - | - | 不对称桥 | 250 W | Standard | - 40 C to + 150 C | 250 µA | 600 V | 2.45V @ 15V, 50A | NPT | 有 | 2.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 11.5 mm | 51.6 mm | 40.8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150TL60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 1.5 V | 200 A | 400 nA | 微芯片技术 | 200 A | APTGT150 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 480 W | 三级逆变器 | 480 W | Standard | 600 V | 200 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 200 | 沟渠现场停车 | 无 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 42 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 335W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 100 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF400R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2620 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 580A | 2 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X7 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 2000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 215 ns | 2.15V @ 15V, 400A | 680 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT20H60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 1 | SP1 | 微芯片技术 | Details | SMD/SMT | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 32 A | APTGT20 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 62 W | 全桥逆变器 | 62 W | Standard | 1.9 V | 32 A | 250 µA | 600 V | 1.1 nF | 1.9V @ 15V, 20A | 32 | 沟渠现场停车 | 有 | 1.1 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ40H120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP1-12 | SP1 | 2.05 V | 75 A | 120 nA | 2.821917 oz | 微芯片技术 | 活跃 | APTGLQ40 | 75 A | Bulk | Details | 1.2 kV | 250 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | 250 W | Standard | 100 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 40A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DA170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 2 V | 400 A | 600 nA | 微芯片技术 | 400 A | APTGT300 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 1.66 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.66 kW | Single | Single | 1660 W | Standard | 1.7 kV | 400 A | 750 µA | 1700 V | 26.5 nF | 2.4V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 26.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 57 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 1.2kV | 20A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | 105W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.85V | 1mA | 1200V | 108 ns | 2.25V @ 15V, 10A | 500 ns | 有 | 600pF @ 25V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50VDA65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 微芯片技术 | 70 A | APTGLQ50 | 活跃 | 650 V | 175 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 175 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150A60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 12 | SP1 | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 微芯片技术 | 225 A | APTGT150 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 480 W | Dual | Dual | 480 W | Standard | 600 V | 225 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 225 | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT35H120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 3 | SP3 | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 微芯片技术 | 55 A | APTGT35 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 208 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 4.744882 oz | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 208 W | 全桥 | 208 W | Standard | 2.1 V | 55 A | 250 µA | 1200 V | 2.5 nF | 2.1V @ 15V, 35A | 55 | 沟渠现场停车 | 有 | 2.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL90DA120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1-12 | SP1 | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 2.821917 oz | 微芯片技术 | 活跃 | APTGL90 | 110 A | Bulk | Details | 1.2 kV | 385 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 385 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.25V @ 15V, 75A | 110 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2355 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 28 | SILICON | 1.7V | 1.2kV | 6 | -40°C~125°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | R-XUFM-X29 | 不合格 | 三相逆变器 | 695W | ISOLATED | 695W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 200A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 810 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 10.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2864 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 450A | 2 | -40°C~150°C | 2006 | C | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | UPPER | R-XUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | Standard | 5mA | 1200V | 230 ns | 2.15V @ 15V, 450A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 800 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 99 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 225A | 2 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | FAST | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X7 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1250W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.7V @ 15V, 150A | 590 ns | 无 | 11nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2809 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1200A | 2 | -40°C~150°C | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 310 ns | 2.1V @ 15V, 600A | 770 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ200HR120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP6 | SP6 | 2.05 V, 1.5 V | 300 A, 150 A | 480 nA, 400 nA | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 300 A | APTGLQ200 | 活跃 | Details | 1.2 kV, 600 V | 1 kW, 340 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 双共用发射器 | 1 | 1000 W | Standard | 200 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 160A | 200 | 沟渠现场停车 | 无 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL700U120D4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D4-5 | 5 | D4 | 1.8 V | 910 A | 微芯片技术 | 1.2 kV | Bulk | 910 A | APTGL700 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 3 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 12.345887 oz | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 175 °C | -40 °C | 3 kW | Single | Single | 3000 W | Standard | 1.2 kV | 910 A | 4 mA | 1200 V | 37.2 nF | 2.2V @ 15V, 600A | 910 | 沟渠现场停车 | 无 | 37.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R45KL3B5NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 660 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 9 | SILICON | 1200A | 3 | -50°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | UPPER | UNSPECIFIED | Single | ISOLATED | 13500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 4.5kV | 5mA | 4500V | 1050 ns | 2.85V @ 15V, 1200A | 7350 ns | 无 | 280nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFF450B12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 38 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 450A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2017 | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 13 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X13 | 半桥 | ISOLATED | 40W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 250 ns | 2.1V @ 15V, 450A | 690 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL180A120T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | NO | 20 | SP3 | 20 | SILICON | Details | 1.2 kV | 940 W | 1.8 V | 230 A | - 40 C | + 100 C | 200 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 1.2 kV | 微芯片技术 | Bulk | 230 A | APTGL180 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 185 ns | 430 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGL180A120T3AG | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.72 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | 175 °C | -40 °C | 940 W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 25 | R-XUFM-X20 | 不合格 | Dual | Dual | ISOLATED | 940 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2 kV | 230 A | 300 µA | 1200 V | 9.3 nF | 940 W | 2.2V @ 15V, 150A | 230 A | 230 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 有 | 20 V | 9.3 nF @ 25 V | 2.2 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2423 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | PCB | 底座安装 | Module | 4 | SILICON | 100A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | 335W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 20 | R-XUFM-X20 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 650V | 100A | 1mA | 110 ns | 1.95V @ 15V, 100A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.2nF @ 25V | 17mm | 130mm | 70.6mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS15R06VE3B2BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 22A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X15 | 三相逆变器 | ISOLATED | 65W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 29 ns | 2V @ 15V, 15A | 260 ns | 有 | 830pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100A120T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP3-32 | SP3 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | 140 A | APTGT100 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 595 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Dual | 595 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 有 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ300SK120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 微芯片技术 | 500 A | APTGLQ300 | 活跃 | 1200 V | 1500 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 1500 W | Standard | 200 µA | 1200 V | 2.42V @ 15V, 300A | 沟渠现场停车 | 无 | 17.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 |
APTGF50DH60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150TL60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
540.762007
FF400R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,206.441851
APTGT20H60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ40H120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DA170G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
167.976755
APTGLQ50VDA65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150A60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT35H120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL90DA120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS150R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,060.062902
FF450R12KT4PHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
783.181428
FF150R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
739.618292
FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,247.442076
APTGLQ200HR120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL700U120D4G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
19,861.888693
IFF450B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL180A120T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
813.572800
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100A120T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ300SK120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
