类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP-1

SP1

2.1 V

65 A

400 nA

微芯片技术

Bulk

65 A

Obsolete

Details

600 V

250 W

- 40 C

+ 150 C

20 V

底座安装

50

2.821917 oz

-

-

不对称桥

250 W

Standard

- 40 C to + 150 C

250 µA

600 V

2.45V @ 15V, 50A

NPT

有

2.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

11.5 mm

51.6 mm

40.8 mm

APTGT150TL60G
APTGT150TL60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

12

SP6

1.5 V

200 A

400 nA

微芯片技术

200 A

APTGT150

活跃

600 V

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

480 W

三级逆变器

480 W

Standard

600 V

200 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

200

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FS100R06KE3BOSA1
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

42 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

6

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

335W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

100 ns

1.9V @ 15V, 100A

370 ns

沟渠现场停车

有

6.2nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF400R12KT3HOSA1
FF400R12KT3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2620 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

580A

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

2 Independent

Dual

ISOLATED

2000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

215 ns

2.15V @ 15V, 400A

680 ns

沟渠现场停车

无

28nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

APTGT20H60T1G
APTGT20H60T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

1

SP1

微芯片技术

Details

SMD/SMT

1

2.821917 oz

Bulk

32 A

APTGT20

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

62 W

全桥逆变器

62 W

Standard

1.9 V

32 A

250 µA

600 V

1.1 nF

1.9V @ 15V, 20A

32

沟渠现场停车

有

1.1 nF @ 25 V

APTGLQ40H120T1G
APTGLQ40H120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP1-12

SP1

2.05 V

75 A

120 nA

2.821917 oz

微芯片技术

活跃

APTGLQ40

75 A

Bulk

Details

1.2 kV

250 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

全桥

250 W

Standard

100 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 40A

沟渠现场停车

有

2.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT300DA170G
APTGT300DA170G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

2 V

400 A

600 nA

微芯片技术

400 A

APTGT300

活跃

1.7 kV

Details

1.7 kV

1.66 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.66 kW

Single

Single

1660 W

Standard

1.7 kV

400 A

750 µA

1700 V

26.5 nF

2.4V @ 15V, 300A

400

沟渠现场停车

无

26.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FP10R12W1T4B11BOMA1
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

57 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

1.2kV

20A

7

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

23

EAR99

105W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.85V

1mA

1200V

108 ns

2.25V @ 15V, 10A

500 ns

有

600pF @ 25V

无SVHC

符合RoHS标准

含铅

APTGLQ50VDA65T3G
APTGLQ50VDA65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

1.85 V

70 A

150 nA

微芯片技术

70 A

APTGLQ50

活跃

650 V

175 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

175 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

有

3.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT150A60T1G
APTGT150A60T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

12

SP1

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

225 A

APTGT150

活跃

600 V

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

480 W

Dual

Dual

480 W

Standard

600 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

有

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT35H120T3G
APTGT35H120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

3

SP3

1.7 V

55 A

400 nA

微芯片技术

55 A

APTGT35

活跃

1.2 kV

Details

1.2 kV

208 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

4.744882 oz

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

208 W

全桥

208 W

Standard

2.1 V

55 A

250 µA

1200 V

2.5 nF

2.1V @ 15V, 35A

55

沟渠现场停车

有

2.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTGL90DA120T1G
APTGL90DA120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1-12

SP1

1.85 V

110 A

600 nA

2.821917 oz

微芯片技术

活跃

APTGL90

110 A

Bulk

Details

1.2 kV

385 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

385 W

Standard

250 µA

1200 V

2.25V @ 15V, 75A

110

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FS150R12KE3GBOSA1
FS150R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

2355 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

28

SILICON

1.7V

1.2kV

6

-40°C~125°C

2002

EconoPACK™+

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

29

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

29

R-XUFM-X29

不合格

三相逆变器

695W

ISOLATED

695W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

200A

5mA

1200V

400 ns

2.15V @ 15V, 150A

810 ns

沟渠现场停车

有

10.5nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF450R12KT4PHOSA1
FF450R12KT4PHOSA1
Infineon Technologies 数据表

2864 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

450A

2

-40°C~150°C

2006

C

活跃

1 (Unlimited)

7

UPPER

R-XUFM-X7

半桥

ISOLATED

Standard

5mA

1200V

230 ns

2.15V @ 15V, 450A

720 ns

沟渠现场停车

无

28nF @ 25V

ROHS3 Compliant

FF150R12KS4HOSA1
FF150R12KS4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

800 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

99 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

225A

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

FAST

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

2 Independent

Dual

ISOLATED

1250W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

180 ns

3.7V @ 15V, 150A

590 ns

无

11nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

FF600R12ME4B72BOSA1
FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2809 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

1200A

2

-40°C~150°C

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X7

半桥

ISOLATED

20mW

电源控制

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

310 ns

2.1V @ 15V, 600A

770 ns

沟渠现场停车

有

37nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APTGLQ200HR120G
APTGLQ200HR120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP6

SP6

2.05 V, 1.5 V

300 A, 150 A

480 nA, 400 nA

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

300 A

APTGLQ200

活跃

Details

1.2 kV, 600 V

1 kW, 340 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

双共用发射器

1

1000 W

Standard

200 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 160A

200

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGL700U120D4G
APTGL700U120D4G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D4-5

5

D4

1.8 V

910 A

微芯片技术

1.2 kV

Bulk

910 A

APTGL700

活跃

Details

1.2 kV

3 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

12.345887 oz

-40°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

-

175 °C

-40 °C

3 kW

Single

Single

3000 W

Standard

1.2 kV

910 A

4 mA

1200 V

37.2 nF

2.2V @ 15V, 600A

910

沟渠现场停车

无

37.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无铅

FZ1200R45KL3B5NOSA1
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies 数据表

660 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

Screw

底座安装

Module

9

SILICON

1200A

3

-50°C~125°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

9

UPPER

UNSPECIFIED

Single

ISOLATED

13500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

4.5kV

5mA

4500V

1050 ns

2.85V @ 15V, 1200A

7350 ns

无

280nF @ 25V

Non-RoHS Compliant

含铅

IFF450B12ME4PB11BPSA1
IFF450B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

38 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

450A

2

-40°C~150°C TJ

2017

EconoDUAL™ 3

活跃

1 (Unlimited)

13

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X13

半桥

ISOLATED

40W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

3mA

1200V

250 ns

2.1V @ 15V, 450A

690 ns

沟渠现场停车

有

28nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APTGL180A120T3AG
APTGL180A120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

NO

20

SP3

20

SILICON

Details

1.2 kV

940 W

1.8 V

230 A

- 40 C

+ 100 C

200 nA

20 V

底座安装

1

1.2 kV

微芯片技术

Bulk

230 A

APTGL180

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

185 ns

430 ns

未说明

175 °C

有

APTGL180A120T3AG

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.72

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

EAR99

175 °C

-40 °C

940 W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X20

不合格

Dual

Dual

ISOLATED

940 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2 kV

230 A

300 µA

1200 V

9.3 nF

940 W

2.2V @ 15V, 150A

230 A

230

沟渠现场停车

1200 V

有

20 V

9.3 nF @ 25 V

2.2 V

IGBT硅模块

无

FS100R07PE4BOSA1
FS100R07PE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2423 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

PCB

底座安装

Module

4

SILICON

100A

6

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

20

EAR99

335W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

20

R-XUFM-X20

三相逆变器

ISOLATED

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

650V

100A

1mA

110 ns

1.95V @ 15V, 100A

610 ns

沟渠现场停车

有

6.2nF @ 25V

17mm

130mm

70.6mm

符合RoHS标准

含铅

FS15R06VE3B2BOMA1
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

22A

6

-40°C~150°C

2002

不用于新设计

1 (Unlimited)

15

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X15

三相逆变器

ISOLATED

65W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

29 ns

2V @ 15V, 15A

260 ns

有

830pF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGT100A120T3AG
APTGT100A120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP3-32

SP3

1.7 V

140 A

400 nA

微芯片技术

140 A

APTGT100

活跃

Details

1.2 kV

595 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Dual

595 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 100A

140

沟渠现场停车

有

7.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ300SK120G
APTGLQ300SK120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

2.05 V

500 A

480 nA

微芯片技术

500 A

APTGLQ300

活跃

1200 V

1500 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

1500 W

Standard

200 µA

1200 V

2.42V @ 15V, 300A

沟渠现场停车

无

17.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块