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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥817.59551
10
¥771.316522
100
¥727.657093
500
¥686.468953
1000
¥647.612223
Infineon Technologies FS100R07PE4BOSA1
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- 对比
FS100R07PE4BOSA1
1211-FS100R07PE4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 650V 100A 335W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FS100R07PE4BOSA1详情
Infineon Technologies FS100R07PE4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
PCB
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
20
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
335W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
20
JESD-30代码
R-XUFM-X20
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
100A
最大集极截止电流
1mA
接通时间
110 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
610 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
6.2nF @ 25V
高度
17mm
长度
130mm
宽度
70.6mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FS100R07PE4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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