Microchip Technology APTGLQ200HR120G

包装/外壳

SP6

安装类型

通孔

供应商器件包装

SP6

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV, 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05 V, 1.5 V

Continuous Collector Current at 25 C

300 A, 150 A

Gate-Emitter Leakage Current

480 nA, 400 nA

Pd - Power Dissipation

1 kW, 340 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 A

Base Product Number

APTGLQ200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

双共用发射器

功率耗散

1

功率 - 最大

1000 W

输入

Standard

最大集极截止电流

200 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 160A

连续集电极电流

200

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

9.2 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块