类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 配置 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 输入电容(Cies)@Vce | 辐射硬化 | RoHS状态 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT150A170D1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | D1 | 1.7kV | 2012 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 780W | 半桥 | 780W | Standard | 2.4V | 280A | 4mA | 1700V | 13nF | 2.4V @ 15V, 150A | 沟渠现场停车 | 无 | 13nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
APTGT25A120D1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | D1 | SILICON | 1.2kV | 150°C | 2 | e1 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 7 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 140W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | 140W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 40A | 5mA | 1200V | 1.8nF | 280 ns | 2.1V @ 15V, 25A | 830 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 1.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||
APTGT35A120D1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | D1 | D1 | 1.2kV | 55A | Discontinued | 1 (Unlimited) | 205W | 半桥 | 205W | Standard | 2.1V | 55A | 5mA | 1200V | 2.5nF | 2.1V @ 15V, 35A | 沟渠现场停车 | 无 | 2.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50A120D1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | D1 | SILICON | 1.2kV | 2 | 150°C | e1 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 7 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | 270W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 75A | 5mA | 1200V | 3.6nF | 280 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 830 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 3.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||
APTGF90A60D1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | D1 | D1 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 半桥 | Standard | NPT | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50H60T2G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP2 | 22 | 600V | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 175°C | -40°C | 176W | 全桥逆变器 | Standard | 600V | 80A | 250μA | 3.15nF | 1.9V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
CM100TX-24T | Powerex Inc. | 数据表 | 32 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 100A | -40°C~150°C | T | Discontinued | 1 (Unlimited) | 三相逆变器 | 565W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 1.95V @ 15V, 100A | 有 | 20.5nF @ 10V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MIXG240W1200PTEH | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 底座安装 | E3 | 312A | -40°C~175°C TJ | 活跃 | 三相逆变器 | 938W | Standard | 150μA | 1200V | 2V @ 15V, 200A | PT | 有 | 10.6nF @ 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
F4100R17N3E4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 52 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 活跃 |
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM100TX-24T
Powerex Inc.
分类:Transistors - IGBTs - Modules
511.258115
MIXG240W1200PTEH
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F4100R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
732.635100
