Microsemi Corporation APTGT150A170D1G
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APTGT150A170D1G
1619-APTGT150A170D1G
晶体管 - IGBT - 模块
D1
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IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
1最小包装量--
APTGT150A170D1G详情
Microsemi Corporation APTGT150A170D1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
D1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7kV
已出版
2012
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
780W
配置
半桥
功率 - 最大
780W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
280A
最大集极截止电流
4mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
输入电容
13nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 150A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
13nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT150A170D1G拓展信息
Microsemi Corporation
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