Microsemi Corporation APTGT35A120D1G

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

D1

供应商器件包装

D1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Current-Collector (Ic) (Max)

55A

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

205W

配置

半桥

功率 - 最大

205W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

55A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2.5nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

2.5nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准