类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 隔离电压 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FZ3600R17HP4B2BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 930 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | Screw | Module | 9 | 2.25V | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 21kW | 不含卤素 | 1.7kV | 3.6kA | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT80GP60J | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP-4 | NO | 4 | ISOTOP® | 4 | SILICON | Details | 600 V | 462 W | 2.2 V | 151 A | - 55 C | + 150 C | 100 nA | 20 V | SMD/SMT | 1 | 2.264236 oz | Tube | 微芯片技术 | 151 A | APT80GP60 | 活跃 | 600 V | 600 V | ISOTOP-4 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 87 ns | ISOTOP | 284 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APT80GP60J | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.53 | ISOTOP | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | POWER MOS 7® | e1 | 有 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 150 °C | -55 °C | 低导通损耗 | 462 W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 151 A | 4 | R-PUFM-X4 | 不合格 | Single | Single | ISOLATED | 462 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 151 A | 1 mA | 600 V | 9.84 nF | 462 W | 2.7V @ 15V, 80A | 151 A | PT | 600 V | 无 | 20 V | 9.84 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | PCB | 底座安装 | Module | 4 | SILICON | 150A | 6 | -40°C~150°C | Bulk | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | 430W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 20 | R-XUFM-X20 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 650V | 150A | 1mA | 150 ns | 1.95V @ 15V, 150A | 660 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3nF @ 25V | 17mm | 130mm | 70.6mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R17HP4B2BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 526 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 1.7kV | 4800A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | 14kW | UPPER | UNSPECIFIED | 半桥 | Dual | ISOLATED | 13000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.9V | 2.4kA | 5mA | 1700V | 930 ns | 2.25V @ 15V, 2400A | 1810 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 195nF @ 25V | Unknown | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1600R17HP4B2BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 518 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | Screw | Module | 7 | 1.7kV | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 11kW | not_compliant | Dual | 不含卤素 | 1.7kV | 1.6kA | Unknown | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R06ME3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 550A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 2 Independent | ISOLATED | 1250W | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 600V | 160 ns | 1.9V @ 15V, 450A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2977 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 300A | 4 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™ 4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X20 | 全桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 190 ns | 1.75V @ 15V, 280A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS30R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 44 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 18 | 45A | -40°C~150°C | 2002 | EasyPACK™ 1B | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 150W | 不含卤素 | Standard | 600V | 45A | 1mA | 2V @ 15V, 30A | 沟渠现场停车 | 有 | 1.65nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF900R12IP4DBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2868 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 10 | SILICON | 1.2kV | 900A | 1 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 5.1kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 10 | R-XUFM-X6 | 不合格 | 单斩波器 | Single | ISOLATED | 5100W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 5mA | 1200V | 370 ns | 2.05V @ 15V, 900A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 54nF @ 25V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 2244 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 620A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 10 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | 2800W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 650 ns | 2.45V @ 15V, 450A | 1800 ns | 有 | 36nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DH120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 140 A | APTGT100 | - | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 480 W | Dual | Dual | 480 W | Standard | 1.2 kV | 140 A | 250 µA | 1200 V | 7.2 nF | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 有 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS300R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2345 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 1800W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 375A | 3mA | 1700V | 405 ns | 2.3V @ 15V, 300A | 1520 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 24.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM1200HC-66H | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Module | 3.3 V | 1200 A | 0.5 uA | 3300 V | 2 | CM1200HC-66H | 20 V | + 125 C | - 40 C | SMD/SMT | 14700 W | N | Bulk | CM1200 | Triple | IGBT硅模块 | 38 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2295 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 7 | SILICON | 2 | -40°C~150°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | NPN | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1250W | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 5mA | 650V | 190 ns | 1.95V @ 15V, 400A | 540 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 26nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1050W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 295A | 5mA | 1200V | 215 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 680 ns | 无 | 14nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 37 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 18 | SILICON | 1.45V | 70A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EasyPACK™ 1B | 活跃 | 1 (Unlimited) | 18 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 205W | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 70A | 1mA | 250 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FPF2C110BI07AS2 | ON Semiconductor | 数据表 | 34 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 9 Weeks | 通孔 | 通孔 | 30-DIP Module | 45g | 40A | -40°C~150°C | 2016 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 半桥 | 300W | Standard | 2.3V | 250μA | 650V | 2.5kV | 2.3V @ 15V, 40A | 有 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KS4CBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 24 | SILICON | 3.2V | 1.2kV | 7 | -40°C~125°C | 2001 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | 230W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | Single | 230W | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 40A | 5mA | 1200V | 110 ns | 3.7V @ 15V, 25A | 460 ns | 有 | 1.5nF @ 25V | 17mm | 107.5mm | 45mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2316 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 150A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2017 | EconoPIM™3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 43 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X43 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 270 ns | 2.1V @ 15V, 150A | 750 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.35nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 320A | -40°C~150°C | Bulk | 2002 | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1050W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 220 ns | 2.15V @ 15V, 225A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 710 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | NO | SILICON | 2 | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X10 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 1060 ns | 1700A | 2380 ns | 1700V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 30 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPIM™ 2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X23 | NPN | 三相逆变器 | ISOLATED | 20mW | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 25A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2505 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 底座安装 | Module | 600A | 1 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 2150W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1200V | 2150W | 2.15V @ 15V, 400A | 有 | 20V | 25nF @ 25V | 2.15 V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS300R12OE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 29 | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 1650W | 不含卤素 | Standard | 1.2kV | 460A | 3mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 300A | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FPF1C2P5MF07AM | ON Semiconductor | 数据表 | 2949 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 底座安装 | F1 Module | 23g | 60V | -40°C~150°C TJ | 1996 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 231W | 全桥逆变器 | 231W | 单相桥式整流器 | 1.6V | 39A | 620V | 25μA | 2.5kV | 1.6V @ 15V, 30A | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant |
FZ3600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
11,374.342471
APT80GP60J
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS150R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6,367.872457
FZ1600R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,494.273170
FF450R06ME3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L300R07PE4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
992.483895
FS30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
136.164984
DF900R12IP4DBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,484.953933
FF450R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,481.600318
APTGT100DH120TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS300R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,677.571822
CM1200HC-66H
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF400R07KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,025.782215
FF200R12KT3EHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
709.123441
FS50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
187.960974
FPF2C110BI07AS2
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
366.838082
FP25R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,041.428963
FF225R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF1200R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
10,465.000083
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
465.917155
F3L400R12PT4B26BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,216.383692
FS300R12OE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FPF1C2P5MF07AM
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,277.764986
