Microchip Technology APT80GP60J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2 V

Continuous Collector Current at 25 C

151 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Pd - Power Dissipation

462 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.264236 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

151 A

Base Product Number

APT80GP60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Voltage Rating (DC)

600 V

Package Description

ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

87 ns

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Turn-off Time-Nom (toff)

284 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT80GP60J

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.53

Part Package Code

ISOTOP

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

462 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

151 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

462 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

151 A

最大集极截止电流

1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

输入电容

9.84 nF

最大耗散功率(Abs)

462 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 80A

集电极电流-最大值(IC)

151 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

600 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

9.84 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

辐射硬化

无

无铅

无铅