类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 二极管元件材料 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 二极管类型 | 功率耗散 | 输出电流 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 正向电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 相位的数量 | 最大集电极电流 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 反向电压 | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | 反向恢复时间-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||
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![]() | FS300R12OE4PNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2607 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | SILICON | 600A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X29 | 全桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 460A | 3mA | 1200V | 280 ns | 2.1V @ 15V, 300A | 650 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12W2T4PBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 58 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 50A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | EasyPIM™ 2B | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X35 | 三相逆变器 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 133 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 685 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXH80T120L2Q0S2G | ON Semiconductor | 数据表 | 2526 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | yes | 活跃 | 不适用 | 未说明 | 未说明 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U100N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 47 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 17 | SILICON | 1 | -40°C~150°C | 1999 | EconoBRIDGE™ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | 分立半导体 | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | 单斩波器 | Single | 60A | ISOLATED | 350W | 100A | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 1.6kV | 50A | 5mA | 1.6kV | 1mA | 1200V | 1.6kV | 3.2V @ 20V, 50A | 无 | 3.3nF @ 25V | 17mm | 107.5mm | 45mm | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12W2T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 52 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 83A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 18 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X18 | 三相逆变器 | 335W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6MS20017E43W37032NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | -25°C~55°C | 2007 | 活跃 | 不适用 | 三相逆变器 | 不含卤素 | Standard | 1700V | 有 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM50GP120 | Infineon | 数据表 | 2086 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | Module | 3 | 2.5V | 1.6kV | 7 | 360W | 2003 | Discontinued | 35 | EAR99 | 125°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 未说明 | 35 | 不合格 | COMPLEX | 360W | ISOLATED | N-CHANNEL | 1.2kV | 80A | 105 ns | 430 ns | 20V | 2.55 V | 17mm | 122mm | 62mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BYM300A120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2428 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 2 | SILICON | 1.2kV | 1 | 150°C TJ | 1999 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X5 | Single | 接收电极 | 1kW | ISOLATED | 1000W | 450A | 不含卤素 | Standard | 1 | 800μA | 1.2kV | 1200V | 1.2kV | 0.55μs | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS10R06VE3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 321 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 750 | SILICON | 2V | 16A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 13 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 13 | R-XUFM-X13 | 三相逆变器 | 50W | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 16A | 1mA | 26 ns | 2V @ 15V, 10A | 260 ns | 无 | 550pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 19 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | 23 | 35A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 210W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1200V | 2.15V @ 15V, 35A | 沟渠现场停车 | 有 | 2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF650R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2628 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | 10 | SILICON | 2 | -40°C~150°C | 2013 | PrimePack™2 | no | 活跃 | 不适用 | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 4150W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 720 ns | 2.45V @ 15V, 650A | 1870 ns | 有 | 54nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS100R07N2E4_B11 | Infineon | 数据表 | 5000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Module | NO | SILICON | 6 | Bulk | no | 13 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X13 | 不合格 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 100 ns | 370 ns | 650V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2371 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 200A | -40°C~125°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 11 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 单斩波器 | ISOLATED | 695W | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 810 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 10.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Screw | Module | 130 | 1.7V | 1.2kV | 2 | 2002 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | 125°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 10 | R-XUFM-X10 | 不合格 | Dual | 2.8kW | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | 1.2kV | 850A | 880 ns | 1140 ns | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS20R06VE3B2BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 32 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 25A | 6 | -40°C~150°C | 2015 | EasyPACK™ | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X15 | 三相逆变器 | ISOLATED | 71.5W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 32 ns | 2V @ 15V, 20A | 250 ns | 有 | 1.14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 40 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 20A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | EconoPACK™2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 22 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X22 | 半桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 40 ns | 1.7V @ 15V, 20A | 375 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.35nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXN110N65C4H1 | IXYS | 数据表 | 1230 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 底座安装 | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 38.000013g | 1.98V | 650V | 1 | 143 ns | -55°C~175°C TJ | 2014 | XPT™, GenX4™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 750W | 110N65 | Single | 35 ns | 750W | Standard | 2.35V | 210A | 50μA | 3.69nF | 2.35V @ 15V, 110A | PT | 无 | 20V | 3.69nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2067 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 450A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 2 Independent | ISOLATED | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 290 ns | 2.1V @ 15V, 450A | 740 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 42 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 23 | 1 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 145W | 不含卤素 | Standard | 1.2kV | 30A | 1mA | 1200V | 145W | 2.25V @ 15V, 15A | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 890pF @ 25V | 2.25 V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4150R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2691 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 26 | SILICON | 4 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 26 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 960W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 180A | 5mA | 1200V | 190 ns | 3.75V @ 15V, 150A | 390 ns | 有 | 10nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 2 Independent | Dual | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1700V | 2.3V @ 15V, 600A | 沟渠现场停车 | 有 | 48nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP100R07N3E4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2407 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 43 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 43 | R-XUFM-X43 | 三相逆变器 | ISOLATED | 335W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 100 ns | 1.95V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 6.2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R12KT4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2945 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 150A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2002 | EconoPIM™3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 43 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X43 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 270 ns | 2.1V @ 15V, 150A | 750 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.35nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F475R07W2H3B51BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 75A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 三相逆变器 | 250W | Standard | 1mA | 650V | 1.55V @ 15V, 37.5A | 有 | 4.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150H60TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | Details | 600 V | 480 W | 1.5 V | 225 A | - 40 C | + 100 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 225 A | APTGT150 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 480 W | 全桥 | 480 | 480 W | Standard | 600 V | 225 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 225 | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 |
FS300R12OE4PNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,341.386958
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
367.533227
NXH80T120L2Q0S2G
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,130.819425
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
513.172804
FS50R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
324.373049
6MS20017E43W37032NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM50GP120
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,038.448236
BYM300A120DN2HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,411.914581
FS10R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
22.036467
FP35R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,876.653491
FS100R07N2E4_B11
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF150R12ME3GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
873.991057
FF600R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS20R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
395.409813
IXXN110N65C4H1
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
171.794238
FF450R12ME4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,165.060766
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
832.740183
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP100R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
848.792371
FP150R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,009.470309
F475R07W2H3B51BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150H60TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
