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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2876.653491
10
¥2713.824047
100
¥2560.211365
500
¥2415.29374
1000
¥2278.579001
Infineon Technologies FF650R17IE4BOSA1
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FF650R17IE4BOSA1
1211-FF650R17IE4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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INFINEON FF650R17IE4 IGBT Array & Module Transistor, PrimePACK2, N Channel, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF650R17IE4BOSA1详情
Infineon Technologies FF650R17IE4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
引脚数
10
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C
系列
PrimePack™2
已出版
2013
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
11
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
4150W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
720 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 650A
关断时间-标准值(toff)
1870 ns
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
54nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
FF650R17IE4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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