Infineon Technologies DDB6U100N16RRBOSA1
- 收藏
- 对比
DDB6U100N16RRBOSA1
1211-DDB6U100N16RRBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MOD 1200V 50A 350W
1最小包装量--
DDB6U100N16RRBOSA1详情
Infineon Technologies DDB6U100N16RRBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
PCB, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
17
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C
系列
EconoBRIDGE™
已出版
1999
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
17
ECCN 代码
EAR99
类型
分立半导体
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
17
配置
单斩波器
元素配置
Single
输出电流
60A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
350W
正向电流
100A
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.6kV
最大集电极电流
50A
峰值反向电流
5mA
最大重复反向电压(Vrrm)
1.6kV
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
反向电压
1.6kV
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 20V, 50A
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
3.3nF @ 25V
高度
17mm
长度
107.5mm
宽度
45mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
DDB6U100N16RRBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。