类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||
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FP35R12U1T4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 7 | 54A | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 35 | R-XUFM-X23 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 250W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 43 ns | 2.25V @ 15V, 35A | 510 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MII200-12A4 | IXYS | 数据表 | 2070 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 28 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | Y3-DCB | 7 | SILICON | 2 | 650 ns | 1.2kV | 150°C TJ | Bulk | 2000 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | UL 认证 | 1.13kW | UPPER | UNSPECIFIED | MII | 7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 100 ns | 1130W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 270A | 10mA | 1200V | 11nF | 150 ns | 2.7V @ 15V, 150A | 700 ns | NPT | 无 | 20V | 11nF @ 25V | 3 V | 30mm | 110mm | 62mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R17HE4B9HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3 | 1800A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-PUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 11500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 900 ns | 2.3V @ 15V, 1800A | 1920 ns | 无 | 145nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2644 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 4 | 200A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 20 | R-XUFM-X20 | 三相逆变器 | ISOLATED | 680W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 190 ns | 1.95V @ 15V, 200A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 12.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IFS200B12N3E4B31BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2334 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 6 | 400A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 41 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X41 | 全桥 | ISOLATED | 940W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.1V @ 15V, 200A | 528 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF650R17IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2467 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | SILICON | 2 | 650A | -40°C~150°C | 2007 | 活跃 | 不适用 | 10 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-PUFM-X10 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 5mA | 1700V | 720 ns | 2.45V @ 15V, 650A | 1870 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 54nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2296 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | NO | SILICON | 2 | 2006 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 7 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X7 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 310 ns | 995A | 770 ns | 1200V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ3600R17HE4HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 721 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3 | 7200A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 21000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 1075 ns | 2.3V @ 15V, 3600A | 2245 ns | 无 | 295nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD400R12KE3B5HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2603 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 5 | SILICON | 1 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 单斩波器 | Single | ISOLATED | 2000W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 580A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 400A | 830 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12IE4BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 2413 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 450A | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 2 Independent | ISOLATED | 2550W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 360 ns | 2.05V @ 15V, 450A | 900 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 27nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R17HP4B2BOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 801 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 1200A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | UPPER | UNSPECIFIED | R-PUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | 7800W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 850 ns | 2.25V @ 15V, 1200A | 1810 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 97nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS20R06VE3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 78 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 13 | SILICON | 1.55V | 25A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 13 | EAR99 | UPPER | WIRE | 13 | 三相逆变器 | 71.5W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 25A | 1mA | 320 ns | 2V @ 15V, 20A | 250 ns | 无 | 1.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 971 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 12 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 2 Independent | Dual | 6250W | 不含卤素 | Standard | 1.7kV | 1.39kA | 5mA | 1700V | 2.45V @ 15V, 1000A | 有 | 81nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM50GB170DN2HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 72A | 150°C TJ | 1999 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 7 | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 半桥 | ISOLATED | 500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1700V | 500 ns | 3.9V @ 15V, 50A | 740 ns | 无 | 8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS500R17OE4DBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 563 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 6 | 740A | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X29 | 三相逆变器 | ISOLATED | 3000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 330 ns | 2.3V @ 15V, 500A | 1080 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 40nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U134N16RRB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 90 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | NO | SILICON | 1 | 150°C | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 19 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X19 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 70A | 1200V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2640 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 520A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X7 | 2 Independent | ISOLATED | 2400W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 325 ns | 2.15V @ 15V, 450A | 800 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G75US120 | ON Semiconductor | 数据表 | 62 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | 7PM-GA | 3V | 1.2kV | -40°C~150°C TJ | Bulk | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.2kV | 445W | 75A | 半桥 | Dual | 445W | Standard | 1.2kV | 75A | 3mA | 1200V | 3V @ 15V, 75A | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1200R17KE3KNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 713 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 130 | SILICON | 1 | 1600A | -40°C~125°C | 2002 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X7 | 双制动斩波器 | ISOLATED | 5950W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 1.6kA | 5mA | 1700V | 1050 ns | 2.45V @ 15V, 1200A | 2100 ns | 无 | 110nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R17KE3B2NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 568 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 42 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 130 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X10 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 4300W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 950A | 5mA | 1700V | 900 ns | 2.45V @ 15V, 600A | 1900 ns | 无 | 54nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12KS4CBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 30 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 24 | SILICON | 3.2V | 1.2kV | 7 | -40°C~125°C | 2001 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | Single | 180W | ISOLATED | 180W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 30A | 5mA | 1200V | 110 ns | 3.7V @ 15V, 15A | 460 ns | 有 | 1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U84N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 42 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | 50A | 150°C TJ | 1999 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | R-XUFM-X17 | 单斩波器 | ISOLATED | 350W | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 3.2V @ 20V, 50A | NPT | 无 | 3.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYN100N120B3H1 | IXYS | 数据表 | 105 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Chassis Mount, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 2012 | XPT™, GenX3™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 690W | Single | 690W | N-CHANNEL | Standard | 2.6V | 165A | 50μA | 1200V | 6nF | 2.6V @ 15V, 100A | PT | 无 | 20V | 6nF @ 25V | 5V | 9.6mm | 38.23mm | 25.07mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM800DZ-34H | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Module | 1700 V | 2 | 2.6 V | 800 A | CM800DZ-34H | 20 V | 0.5 uA | + 125 C | - 40 C | SMD/SMT | 6200 W | N | Bulk | CM800 | Dual | IGBT硅模块 | 28 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ900R12KP4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2780 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 40 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 4 | SILICON | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 900A | 5mA | 1200V | 370 ns | 2.05V @ 15V, 900A | 840 ns | 无 | 56nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 |
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MII200-12A4
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
844.890263
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L200R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
837.418860
IFS200B12N3E4B31BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,284.029875
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,359.120815
FF600R12ME4PBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,743.718734
FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
8,232.552857
FD400R12KE3B5HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,231.282486
FF450R12IE4BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,183.041317
FZ1200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,299.077983
FS20R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
33.974042
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,187.906630
BSM50GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS500R17OE4DBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
4,214.422396
DDB6U134N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
519.872068
FF450R12KE4EHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
993.758492
FMG2G75US120
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
481.645724
FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
9,789.571302
FF600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
8,527.841131
FP15R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
719.480261
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IXYN100N120B3H1
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
267.645399
CM800DZ-34H
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ900R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,125.883467
