Infineon Technologies FP35R12U1T4BPSA1
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FP35R12U1T4BPSA1
1211-FP35R12U1T4BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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SmartPIM 1 IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT/NTC
1最小包装量--
FP35R12U1T4BPSA1详情
Infineon Technologies FP35R12U1T4BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
7
Current-Collector (Ic) (Max)
54A
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
23
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
35
JESD-30代码
R-XUFM-X23
资历状况
不合格
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
250W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
43 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.25V @ 15V, 35A
关断时间-标准值(toff)
510 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
2nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FP35R12U1T4BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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