Infineon Technologies BSM50GB170DN2HOSA1
- 收藏
- 对比
BSM50GB170DN2HOSA1
1211-BSM50GB170DN2HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT 1700V 72A 500W MODULE
1最小包装量--
BSM50GB170DN2HOSA1详情
Infineon Technologies BSM50GB170DN2HOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
72A
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
已出版
1999
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
半桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
500 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.9V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
740 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
8nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
BSM50GB170DN2HOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。