类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

系列

类型

子类别

技术

电压-隔离度

配置

电压

电流

功率耗散

输出电流

功率 - 最大

输入

产品类别

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

信道型

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

连续集电极电流

IGBT类型

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

产品

Vf-正向电压

产品类别

FF900R17ME7B11BPSA1
FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

1.7V

900 A

- 40 C

10

FF900R17ME7_B11 SP005423488

Infineon

Infineon Technologies

Infineon Technologies

Details

1700 V

Tray

活跃

900 A

FF900R17

±20V

1700 V

-

+ 175 C

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

2 Independent

20mW

20 mW

Standard

IGBT模块

5 mA

1700 V

1.85V @ 15V, 900A

900A

沟渠现场停车

有

93.8 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FS200R10W3S7B11BPSA1
FS200R10W3S7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Tray

活跃

*

FS150R12N2T7BPSA2
FS150R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2

1.55 V

150 A

Infineon Technologies

Details

Infineon Technologies

1200 V

Tray

活跃

150 A

FS150R12

-

+ 175 C

- 40 C

15

FS150R12N2T7 SP005422562

Infineon

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

Standard

IGBT模块

1.2 μA

1200 V

1.8V @ 15V, 150A

沟渠现场停车

有

30.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FS3L25R12W2H3PB11BPSA1
FS3L25R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

活跃

Infineon Technologies

18

FS3L25R12W2H3P_B11 SP001691300

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tray

Tray

*

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

IXYN110N120C4
IXYN110N120C4
IXYS 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

SOT-227

2.4 V

220 A

螺钉安装

IXYS

IXYS

220 A

IXYS

XPT

Details

1.2 kV

Tube

活跃

220 A

- 20 V, + 20 V

830 W

+ 175 C

- 55 C

10

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

IGBTs

Si

Single

830 W

Standard

IGBT晶体管

50 μA

1200 V

2.4V @ 15V, 110A

-

无

5.42 nF @ 25 V

IGBT晶体管

FS13MR12W2M1HB70BPSA1
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

-

-

-

Infineon Technologies

活跃

15

FS13MR12W2M1H_B70 SP005561073

Infineon

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

-

Tray

IGBTs

三相逆变器

Standard

IGBT模块

1200 V

-

-

无

IGBT模块

F3L75R12W1H3BPSA1
F3L75R12W1H3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

活跃

Infineon Technologies

24

F3L75R12W1H3 SP005728116

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tray

Tray

-

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

NXH100B120H3Q0PG
NXH100B120H3Q0PG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

22-PIM (55x32.5)

1.77V

onsemi

±20V

Case 180BF (Pb-Free and Halide-Free) Press-Fit Pins

1200 V

24

onsemi

onsemi

Tray

活跃

61 A

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

-

Discrete Semiconductor Modules

2 Independent

186W

186 W

Standard

Discrete Semiconductor Modules

200 μA

1200 V

2.3V @ 15V, 50A

61A

沟渠现场停车

无

9.075 nF @ 20 V

Discrete Semiconductor Modules

NXH40B120MNQ1SNG
NXH40B120MNQ1SNG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

32-PIM (71x37.4)

活跃

onsemi

Q1 3-Channel BOOST - Case 180BQ Solder Pins (Pb Free)

44A

156 W

+ 150 C

- 40 C

21

onsemi

onsemi

Tray

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

Discrete Semiconductor Modules

Triple, Dual - Common Source

156W

156 W

Standard

Discrete Semiconductor Modules

Three N Channel

-

-

有

3.227 nF @ 800 V

IGBT碳化硅模块

Discrete Semiconductor Modules

FP50R12N2T7BPSA2
FP50R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.5V

50 A

Infineon Technologies

Details

Infineon Technologies

1200 V

FP50R12

50 A

活跃

Tray

-

+ 175 C

- 40 C

15

FP50R12N2T7 SP005596507

Infineon

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

10 μA

1200 V

1.5V @ 15V, 50A

50A

沟渠现场停车

有

11.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP75R12N2T7B11BPSA2
FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.55 V

75 A

Infineon Technologies

Details

Infineon Technologies

1200 V

FP75R12

Tray

活跃

75 A

-

+ 175 C

- 40 C

15

FP75R12N2T7_B11 SP005597717

Infineon

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

14 μA

1200 V

1.55V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

15.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP35R12N2T7BPSA2
FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.6 V

35 A

Infineon Technologies

Details

Infineon Technologies

1200 V

Tray

活跃

35 A

FP35R12

-

+ 175 C

- 40 C

15

FP35R12N2T7 SP005597311

Infineon

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

7 μA

1200 V

1.6V @ 15V, 35A

沟渠现场停车

有

6.62 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

NFAQ0560R46T
NFAQ0560R46T
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DIP-6

2 V

5 A

1 mA

2.6 V

onsemi

Details

600 V

-

- 40 C

+ 125 C

400

Tube

NFAQ0560

活跃

600V

NFAQ

Tube

NFAQ0560R46T

IGBT

2000Vrms

3-Phase Inverter

600 V

5 A

IGBT硅模块

APTGT100TDU60PG
APTGT100TDU60PG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6-P

SP6-P

1.5 V

150 A

400 nA

APTGT100

微芯片技术

活跃

Details

600 V

340 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

150 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三双共源

340 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 100A

150

沟渠现场停车

无

6.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT200DH60G
APTGT200DH60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.5 V

290 A

400 nA

APTGT200

微芯片技术

活跃

Details

600 V

625 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

290 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

625 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

无

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT150DH120G
APTGT150DH120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.7 V

220 A

400 nA

APTGT150

微芯片技术

活跃

Details

1.2 kV

690 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

220 A

-

Tube

-

Dual

690 W

Standard

350 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

无

10.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT50H120T3G
APTGT50H120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

1.7 V

75 A

400 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

270 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

全桥

270

270 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

DDB6U134N16RRB80BPSA1
DDB6U134N16RRB80BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon

Infineon Technologies

Infineon Technologies

活跃

Tray

500 W

+ 150 C

- 40 C

15

底座安装

DDB6U134N16RR_B80 SP005569270

Tray

*

Discrete Semiconductor Modules

Single

134 A

Discrete Semiconductor Modules

IGBT硅模块

1.35 V at 100 A

Discrete Semiconductor Modules

VS-ENV020M120M
VS-ENV020M120M
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EMIPAK

Vishay

Vishay Semiconductors

Details

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Box

活跃

1200 V

87 W

N-Channel

+ 150 C

100

压装

Bulk

*

PressFit Power Module

Discrete Semiconductor Modules

1-Phase Bridge

33 A

Discrete Semiconductor Modules

Diode Power Modules

1.29 V

Discrete Semiconductor Modules

FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-EASY3B

200 A

Details

Infineon Technologies

1.23 V

- 40 C

+ 125 C

PCB 安装

8

FS3L400R10W3S7F_B11 SP005567323

Tray

120 A

FS3L400R10

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

EasyPACK™

三级逆变器

20 mW

Standard

26 µA

950 V

1.48V @ 15V, 45A

沟渠现场停车

有

12600 pF @ 25 V

IGBT硅模块

PSS75SA2FT
PSS75SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.8 V

75 A

-

1200 V

-

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

PSS75SA2FT

Details

6-Pack

IGBT硅模块

PSS25SA2FT
PSS25SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

25 A

-

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

Details

1200 V

103 W

6-Pack

IGBT硅模块

PSS15SA2FT
PSS15SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

15 A

-

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

Details

1200 V

86.9 W

6-Pack

IGBT硅模块

PSS05SA2FT
PSS05SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.4 V

5 A

-

Details

+ 100 C

螺钉安装

10

- 30 C

44.6 W

1200 V

6-Pack

IGBT硅模块

MSCGLQ200A65TG
MSCGLQ200A65TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

活跃

微芯片技术

MSCGLQ

1

Microchip

微芯片技术

Details

Bulk

*

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块