NXH100B120H3Q0PG
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onsemi NXH100B120H3Q0PG

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型号

NXH100B120H3Q0PG

品牌

onsemi

utmel 编号

1807-NXH100B120H3Q0PG

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

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NXH100B120H3Q0PG
NXH100B120H3Q0PG onsemi PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

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NXH100B120H3Q0PG详情

onsemi NXH100B120H3Q0PG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    22-PIM (55x32.5)

  • 厂商

    onsemi

  • Package

    Tray

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    61 A

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    ±20V

  • Package Type

    Case 180BF (Pb-Free and Halide-Free) Press-Fit Pins

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    1200 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.77V

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    24

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    Tray

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 配置

    2 Independent

  • 功率耗散

    186W

  • 功率 - 最大

    186 W

  • 输入

    Standard

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 最大集极截止电流

    200 μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.3V @ 15V, 50A

  • 连续集电极电流

    61A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    9.075 nF @ 20 V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

0个相似型号

技术文档: onsemi NXH100B120H3Q0PG.

NXH100B120H3Q0PG拓展信息

FMG2G75US120
FMG2G75US120

ON Semiconductor

NXH80B120H2Q0SG
NXH80B120H2Q0SG

ON Semiconductor

FPF2G120BF07ASP
FPF2G120BF07ASP

ON Semiconductor

FP7G100US60
FP7G100US60

ON Semiconductor

FP7G75US60
FP7G75US60

ON Semiconductor

FMG2G400US60
FMG2G400US60

ON Semiconductor

HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D

ON Semiconductor

NXH160T120L2Q2F2SG
NXH160T120L2Q2F2SG

ON Semiconductor

FMS7G15US60
FMS7G15US60

ON Semiconductor

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