Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
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FF900R17ME7B11BPSA1
1211-FF900R17ME7B11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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MEDIUM POWER ECONO
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FF900R17ME7B11BPSA1详情
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
-
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
900 A
Base Product Number
FF900R17
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Pd - Power Dissipation
-
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Continuous Collector Current at 25 C
900 A
Part # Aliases
FF900R17ME7_B11 SP005423488
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
2 Independent
功率耗散
20mW
功率 - 最大
20 mW
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
5 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 900A
连续集电极电流
900A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
93.8 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
FF900R17ME7B11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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