类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

BSM50GD120DN2BOSA1
BSM50GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Screw, Through Hole

底座安装

Module

17

SILICON

2.5V

6

1.2kV

150°C TJ

2007

不用于新设计

1 (Unlimited)

17

EAR99

350W

UPPER

UNSPECIFIED

17

全桥

350W

ISOLATED

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

72A

1mA

1200V

100 ns

3V @ 15V, 50A

450 ns

无

3.3nF @ 25V

17mm

107.5mm

45mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

FP50R12KT4B11BOSA1
FP50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

24328833 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

50A

7

-40°C~150°C TJ

2001

活跃

1 (Unlimited)

23

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X23

三相逆变器

ISOLATED

280W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

210 ns

2.15V @ 15V, 50A

620 ns

沟渠现场停车

有

2.8nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

BSM150GB60DLCHOSA1
BSM150GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies 数据表

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Panel, Screw

底座安装

Module

7

SILICON

1.95V

600V

2

-40°C~125°C

2000

no

最后一次购买

1 (Unlimited)

7

EAR99

730W

UPPER

UNSPECIFIED

7

Single

Dual

730W

ISOLATED

595W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

180A

500μA

155 ns

2.45V @ 15V, 150A

260 ns

无

6.5nF @ 25V

30.5mm

94mm

34mm

符合RoHS标准

无铅

FS75R12KE3GBOSA1
FS75R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

48 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

6

-40°C~125°C

2001

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

355W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 75A

610 ns

有

5.3nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS450R12KE4BOSA1
FS450R12KE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2278 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Tin

Screw

底座安装

Module

29

SILICON

6

-40°C~150°C

2002

EconoPACK™+

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

29

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

29

不合格

全桥

ISOLATED

2250W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

675A

3mA

1200V

290 ns

2.1V @ 15V, 450A

740 ns

沟渠现场停车

有

28nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APTGT100TL60T3G
APTGT100TL60T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

NO

32

SP3

16

SILICON

Details

600 V

340 W

1.5 V

150 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

1

Bulk

微芯片技术

150 A

APTGT100

活跃

8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080

600 V

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

180 ns

370 ns

未说明

175 °C

有

APTGT100TL60T3G

RECTANGULAR

4

活跃

MICROSEMI CORP

5.68

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

EAR99

175 °C

-40 °C

340 W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X16

不合格

三级逆变器

340

ISOLATED

340 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600 V

150 A

250 µA

600 V

6.1 nF

340 W

1.9V @ 15V, 100A

150 A

150

沟渠现场停车

600 V

有

20 V

6.1 nF @ 25 V

1.9 V

IGBT硅模块

无

FZ600R12KS4HOSA1
FZ600R12KS4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2577 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

4

SILICON

3.2V

1

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

5

R-XUFM-X5

Single

3.9kW

ISOLATED

3900W

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

700A

5mA

1200V

180 ns

3.75V @ 15V, 600A

590 ns

无

39nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APT100GN120JDQ4
APT100GN120JDQ4
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

ISOTOP-4

4

ISOTOP®

1.7 V

153 A

600 nA

微芯片技术

APT100

活跃

1.2 kV

Details

1200 V

446 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

SMD/SMT

1

1.030000 oz

Tube

153 A

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-55 °C

446 W

Single

Single

446

446 W

Standard

1.2 kV

153 A

200 µA

1200 V

6.5 nF

2.1V @ 15V, 100A

153

沟渠现场停车

无

6.5 nF @ 25 V

IGBT碳化硅模块

无

APTGT100DA60T1G
APTGT100DA60T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

12

SP1

1.5 V

150 A

400 nA

微芯片技术

APTGT100

活跃

600 V

Details

600 V

340 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

150 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

340 W

Single

Single

340 W

Standard

600 V

150 A

250 µA

600 V

6.1 nF

1.9V @ 15V, 100A

150

沟渠现场停车

有

6.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT300TL60G
APTGT300TL60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.5 V

400 A

800 nA

微芯片技术

Bulk

400 A

APTGT300

活跃

Details

600 V

935 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三级逆变器

935

935 W

Standard

350 µA

600 V

1.9V @ 15V, 300A

400

沟渠现场停车

无

18.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ40HR120CT3G
APTGLQ40HR120CT3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP3F-32

SP3

2.05 V, 1.5 V

75 A, 80 A

120 nA, 600 nA

微芯片技术

Bulk

75 A

APTGLQ40

活跃

Details

1.2 kV, 600 V

250 W, 176 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

双共用发射器

250 W

Standard

100 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 40A

沟渠现场停车

有

2.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGTQ100DA65T1G
APTGTQ100DA65T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1

SP1

1.65 V

100 A

240 nA

微芯片技术

APTGTQ100

活跃

650 V

250 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

100 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

250 W

Standard

100 µA

650 V

2.2V @ 15V, 100A

-

有

6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ100H65T3G
APTGLQ100H65T3G
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SP3F

1.85 V

135 A

150 nA

650 V

350 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Tube

全桥

IGBT硅模块

FZ400R17KE3HOSA1
FZ400R17KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

252 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

40 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

620A

1

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

4

R-XUFM-X4

Single

ISOLATED

2250W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3mA

1700V

400 ns

2.45V @ 15V, 400A

1230 ns

沟渠现场停车

无

36nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

F3L75R07W2E3B11BOMA1
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

14 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

95A

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

EAR99

未说明

未说明

三相逆变器

250W

不含卤素

Standard

1mA

650V

1.9V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

4.6nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FD300R12KE3HOSA1
FD300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2026 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Panel, Screw

底座安装

Module

5

SILICON

1.7V

1.2kV

1

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

1.47kW

UPPER

UNSPECIFIED

5

Single

1.47kW

ISOLATED

1470W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

480A

5mA

1200V

400 ns

2.15V @ 15V, 300A

830 ns

无

21nF @ 25V

30.9mm

106.4mm

61.4mm

符合RoHS标准

无铅

FF200R17KE3HOSA1
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

76 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

30 Weeks

底座安装

Module

NO

310A

2

-40°C~125°C TJ

2012

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

R-XUFM-X7

半桥

Dual

ISOLATED

1250W

不含卤素

Standard

3mA

1700V

400 ns

2.45V @ 15V, 200A

1200 ns

沟渠现场停车

无

18nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

APTGLQ100A120T3AG
APTGLQ100A120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP3-32

SP3

2.05 V

185 A

150 nA

微芯片技术

APTGLQ100

活跃

Details

1.2 kV

650 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

185 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

650 W

Standard

50 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FS15R12VT3BOMA1
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

PCB, Screw

底座安装

Module

11

SILICON

6

-40°C~125°C

2002

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

11

EAR99

86W

UPPER

UNSPECIFIED

11

三相逆变器

ISOLATED

86W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

24A

1mA

1200V

72 ns

2.15V @ 15V, 15A

590 ns

无

1.1nF @ 25V

12mm

32.4mm

25.4mm

符合RoHS标准

含铅

BSM200GB60DLCHOSA1
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

34

SILICON

1.95V

600V

2

-40°C~125°C

2000

no

最后一次购买

1 (Unlimited)

7

EAR99

445W

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

Single

Dual

445W

ISOLATED

730W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

230A

500μA

229 ns

2.45V @ 15V, 200A

326 ns

无

9nF @ 25V

30.5mm

94mm

34mm

符合RoHS标准

无铅

FS200R06KE3BOSA1
FS200R06KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2734 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

200A

6

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

600W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

210 ns

1.9V @ 15V, 200A

450 ns

沟渠现场停车

有

13nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGT50A120T1G
APTGT50A120T1G
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SP1-12

1.7 V

75 A

400 nA

Details

1200 V

277 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Tube

半桥

IGBT硅模块

APTGTQ100H65T3G
APTGTQ100H65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

NO

SP3F

25

SILICON

650 V

250 W

- 40 C

1.65 V

100 A

+ 125 C

20 V

240 nA

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

微芯片技术

100 A

APTGTQ100

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

35 ns

-40 °C

231 ns

175 °C

有

APTGTQ100H65T3G

RECTANGULAR

4

活跃

MICROSEMI CORP

5.73

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

UPPER

UNSPECIFIED

compliant

R-XUFM-X25

Quad

ISOLATED

250 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

100 µA

650 V

250 W

2.2V @ 15V, 100A

100 A

-

650 V

有

20 V

6 nF @ 25 V

2.2 V

4.7 V

IGBT硅模块

FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies 数据表

970 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

Screw

底座安装

Module

9

SILICON

2

1000A

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

9

UPPER

UNSPECIFIED

双制动斩波器

Dual

ISOLATED

11500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

3.3kV

1kA

5mA

3300V

1150 ns

3.1V @ 15V, 1000A

3550 ns

沟渠现场停车

无

190nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FS75R12KT3BOSA1
FS75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2834 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

105A

6

-40°C~125°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

28

R-XUFM-X28

不合格

三相逆变器

ISOLATED

355W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 75A

610 ns

沟渠现场停车

有

5.3nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅