类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSM50GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw, Through Hole | 底座安装 | Module | 17 | SILICON | 2.5V | 6 | 1.2kV | 150°C TJ | 2007 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | 350W | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | 全桥 | 350W | ISOLATED | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 72A | 1mA | 1200V | 100 ns | 3V @ 15V, 50A | 450 ns | 无 | 3.3nF @ 25V | 17mm | 107.5mm | 45mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 24328833 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 50A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2001 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X23 | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM150GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 20 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Panel, Screw | 底座安装 | Module | 7 | SILICON | 1.95V | 600V | 2 | -40°C~125°C | 2000 | no | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 730W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | Single | Dual | 730W | ISOLATED | 595W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 180A | 500μA | 155 ns | 2.45V @ 15V, 150A | 260 ns | 无 | 6.5nF @ 25V | 30.5mm | 94mm | 34mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 48 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 6 | -40°C~125°C | 2001 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 355W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 610 ns | 有 | 5.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS450R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2278 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 全桥 | ISOLATED | 2250W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 675A | 3mA | 1200V | 290 ns | 2.1V @ 15V, 450A | 740 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100TL60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | NO | 32 | SP3 | 16 | SILICON | Details | 600 V | 340 W | 1.5 V | 150 A | - 40 C | + 100 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 微芯片技术 | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080 | 600 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 180 ns | 370 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT100TL60T3G | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.68 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | 175 °C | -40 °C | 340 W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 25 | R-XUFM-X16 | 不合格 | 三级逆变器 | 340 | ISOLATED | 340 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 150 A | 250 µA | 600 V | 6.1 nF | 340 W | 1.9V @ 15V, 100A | 150 A | 150 | 沟渠现场停车 | 600 V | 有 | 20 V | 6.1 nF @ 25 V | 1.9 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ600R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2577 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 4 | SILICON | 3.2V | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X5 | Single | 3.9kW | ISOLATED | 3900W | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 700A | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.75V @ 15V, 600A | 590 ns | 无 | 39nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GN120JDQ4 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP-4 | 4 | ISOTOP® | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 微芯片技术 | APT100 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1200 V | 446 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | SMD/SMT | 1 | 1.030000 oz | Tube | 153 A | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -55 °C | 446 W | Single | Single | 446 | 446 W | Standard | 1.2 kV | 153 A | 200 µA | 1200 V | 6.5 nF | 2.1V @ 15V, 100A | 153 | 沟渠现场停车 | 无 | 6.5 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DA60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 12 | SP1 | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT100 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 340 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 150 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 340 W | Single | Single | 340 W | Standard | 600 V | 150 A | 250 µA | 600 V | 6.1 nF | 1.9V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 6.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300TL60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 微芯片技术 | Bulk | 400 A | APTGT300 | 活跃 | Details | 600 V | 935 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 三级逆变器 | 935 | 935 W | Standard | 350 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 18.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ40HR120CT3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP3F-32 | SP3 | 2.05 V, 1.5 V | 75 A, 80 A | 120 nA, 600 nA | 微芯片技术 | Bulk | 75 A | APTGLQ40 | 活跃 | Details | 1.2 kV, 600 V | 250 W, 176 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 双共用发射器 | 250 W | Standard | 100 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 40A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ100DA65T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 微芯片技术 | APTGTQ100 | 活跃 | 650 V | 250 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 100 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 250 W | Standard | 100 µA | 650 V | 2.2V @ 15V, 100A | - | 有 | 6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100H65T3G | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SP3F | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 650 V | 350 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Tube | 全桥 | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 252 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 40 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 620A | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | R-XUFM-X4 | Single | ISOLATED | 2250W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 400A | 1230 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 36nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 14 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 95A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 250W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 650V | 1.9V @ 15V, 75A | 沟渠现场停车 | 有 | 4.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD300R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2026 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Panel, Screw | 底座安装 | Module | 5 | SILICON | 1.7V | 1.2kV | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 1.47kW | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | 1.47kW | ISOLATED | 1470W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 480A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 300A | 830 ns | 无 | 21nF @ 25V | 30.9mm | 106.4mm | 61.4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF200R17KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 76 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 30 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 310A | 2 | -40°C~125°C TJ | 2012 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | 7 | R-XUFM-X7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1250W | 不含卤素 | Standard | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 200A | 1200 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 18nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100A120T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP3-32 | SP3 | 2.05 V | 185 A | 150 nA | 微芯片技术 | APTGLQ100 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 650 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 185 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 650 W | Standard | 50 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS15R12VT3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | 86W | UPPER | UNSPECIFIED | 11 | 三相逆变器 | ISOLATED | 86W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 24A | 1mA | 1200V | 72 ns | 2.15V @ 15V, 15A | 590 ns | 无 | 1.1nF @ 25V | 12mm | 32.4mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM200GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 34 | SILICON | 1.95V | 600V | 2 | -40°C~125°C | 2000 | no | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 445W | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X7 | Single | Dual | 445W | ISOLATED | 730W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 230A | 500μA | 229 ns | 2.45V @ 15V, 200A | 326 ns | 无 | 9nF @ 25V | 30.5mm | 94mm | 34mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS200R06KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2734 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 200A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 600W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 210 ns | 1.9V @ 15V, 200A | 450 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50A120T1G | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SP1-12 | 1.7 V | 75 A | 400 nA | Details | 1200 V | 277 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Tube | 半桥 | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ100H65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | NO | SP3F | 25 | SILICON | 650 V | 250 W | - 40 C | 1.65 V | 100 A | + 125 C | 20 V | 240 nA | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 微芯片技术 | 100 A | APTGTQ100 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 35 ns | -40 °C | 231 ns | 175 °C | 有 | APTGTQ100H65T3G | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.73 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X25 | Quad | ISOLATED | 250 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 100 µA | 650 V | 250 W | 2.2V @ 15V, 100A | 100 A | - | 650 V | 有 | 20 V | 6 nF @ 25 V | 2.2 V | 4.7 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD1000R33HE3KBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 970 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 9 | SILICON | 2 | 1000A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 9 | UPPER | UNSPECIFIED | 双制动斩波器 | Dual | ISOLATED | 11500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3.3kV | 1kA | 5mA | 3300V | 1150 ns | 3.1V @ 15V, 1000A | 3550 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 190nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2834 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 105A | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 28 | R-XUFM-X28 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 355W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 5.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 |
BSM50GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
813.285097
BSM150GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS450R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,678.670189
APTGT100TL60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ600R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
935.610101
APT100GN120JDQ4
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100DA60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300TL60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ40HR120CT3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGTQ100DA65T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ100H65T3G
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ400R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
317.798902
FD300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
891.050761
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ100A120T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS200R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50A120T1G
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGTQ100H65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
10,171.300466
FS75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
809.414438
