Infineon Technologies BSM50GD120DN2BOSA1

底架

Screw, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

17

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

6

操作温度

150°C TJ

已出版

2007

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

17

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

350W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

17

配置

全桥

功率耗散

350W

箱体转运

ISOLATED

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

72A

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.3nF @ 25V

高度

17mm

长度

107.5mm

宽度

45mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant