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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	晶体管元件材料				Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C			Gate-Emitter Leakage Current					厂商																	操作温度	包装	已出版	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	极性	配置	元素配置	功率耗散	箱体转运	输入类型	接通延迟时间	功率 - 最大	晶体管应用	无卤素	极性/通道类型	输入	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	工作温度范围	最大集极截止电流	电压 - 集射极击穿（最大值）	输入电容	最大耗散功率(Abs)	接通时间	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	集电极电流-最大值(IC)	连续集电极电流	关断时间-标准值（toff)	IGBT类型	集电极-发射器电压-最大值	闸门收费	集极脉冲电流（Icm）	Td（开/关）@25°C	开关能量	NTC热敏电阻
APT100GT120JU2	Atmel (Microchip Technology)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SOT-227-4	1.7 V	140 A	400 nA	底座安装	1	ISOTOP		1.058219 oz										Details	1200 V	480 W	- 55 C	+ 150 C	20 V		Tube																				Single													- 55 C to + 150 C																				IGBT硅模块	9.6 mm	38.2 mm	25.4 mm
APTGLQ75H65T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	SP1-12			SP1		Details	650 V	250 W	1.85 V	100 A	- 40 C	+ 100 C	200 nA	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	微芯片技术	Bulk	150 A	APTGLQ75	活跃	,	175 °C	有	APTGLQ75H65T1G	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.73					-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-												compliant						全桥						250 W				Standard				100 µA	650 V		250 W		2.3V @ 15V, 75A	150 A			沟渠现场停车	650 V					有	20 V	4.62 nF @ 25 V	2.3 V	IGBT硅模块
APTGTQ100A65T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	SP1	1.65 V	100 A	240 nA	1	2.821917 oz	Bulk	微芯片技术	100 A	APTGTQ100	活跃								650 V	250 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Dual						250 W				Standard				100 µA	650 V				2.2V @ 15V, 100A				-						有		6 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGTQ150TA65TPG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6-P	SP6-P	1.65 V	150 A	360 nA	1	3.880136 oz	Bulk	微芯片技术	150 A	APTGTQ150	活跃								650 V	365 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Hex						365 W				Standard				150 µA	650 V				2.2V @ 15V, 150A				-						有		9 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT200A170D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	7	D3	2 V	310 A	400 nA	Bulk	微芯片技术	400 A	APTGT200	活跃	1.7 kV					Details	1.7 kV	1.25 kW	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	-40°C ~ 150°C (TJ)	Bulk		-									1.25 kW									Dual	Dual	1.25				1250 W				Standard	2.4 V	400 A		5 mA	1700 V	17 nF			2.4V @ 15V, 200A		310		沟渠现场停车						无		17 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT100BB60T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	SP3F-32	SP3	1.5 V	150 A	400 nA	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	150 A	APTGT100	活跃								Details	600 V	340 W	- 40 C	+ 100 C	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Dual						340 W				Standard				250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车						有		6.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGLQ25H120T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	SP1	2.05 V	50 A	150 nA	1	2.821917 oz	Bulk	微芯片技术	50 A	APTGLQ25	活跃								1200 V	165 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Quad						165 W				Standard				50 µA	1200 V				2.42V @ 15V, 25A				沟渠现场停车						有		1.43 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FF300R07KE4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	36 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	7	SILICON							2			-40°C~150°C		2002		yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99			UL 认证		UPPER	UNSPECIFIED				7			NPN	2 Independent	Dual		ISOLATED		940W	电源控制	不含卤素		Standard				5mA	650V			143 ns	1.95V @ 15V, 300A			491 ns	沟渠现场停车						无		19nF @ 25V							符合RoHS标准	无铅
FS200R12PT4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2064 In Stock	1: ¥1,354.694289 10: ¥1,278.013478 100: ¥1,205.673097 500: ¥1,137.427449 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON				280A	6							-40°C~150°C		2002		no	活跃	1 (Unlimited)	20	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant	未说明	20	R-XUFM-X20	不合格		三相逆变器			ISOLATED		1000W	电源控制		N-CHANNEL	Standard				1mA	1200V			190 ns	2.15V @ 15V, 200A			600 ns	沟渠现场停车						有		14nF @ 25V							符合RoHS标准
FZ1200R17HE4HOSA2	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	50 Weeks	表面贴装	底座安装	Module	7	SILICON	2	1200A									-40°C~150°C		2002			活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99			UL认证		UPPER	UNSPECIFIED								单开关	Dual		ISOLATED		7800W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	1.7kV	1.2kA		5mA	1700V			955 ns	2.3V @ 15V, 1200A			1760 ns							无		97nF @ 25V							ROHS3 Compliant
APT25GLQ120JCU2	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Chassis, Stud Mount	ISOTOP-4	SOT-227	2.05 V	45 A	400 nA	SMD/SMT	1	Bulk	微芯片技术	45 A	APT25GLQ120	活跃								Details	1.2 kV	170 W	- 55 C	+ 175 C	20 V	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Single		170				170 W				Standard				250 µA	1200 V				2.4V @ 15V, 25A		45		沟渠现场停车						无		1.43 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APT150GN60B2G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	通孔	通孔	TO-247-3	1.45 V	220 A	+ 175 C	600 nA	30 V	通孔	1	0.211644 oz	微芯片技术	Tube	220 A	APT150	活跃	400V, 150A, 1Ohm, 15V	600 V							Details	600 V	536 W	- 55 C	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-						175 °C	-55 °C		536 W									Single	Single			Standard		536 W					600 V	220 A			600 V				1.85V @ 15V, 150A				沟渠现场停车		970 nC	450 A	44ns/430ns	8.81mJ (on), 4.295mJ (off)					IGBT碳化硅模块				无		无铅
APT47GA60JD40	Atmel (Microchip Technology)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SOT-227-4	87 A	100 nA	1											Details	600 V	283 W		- 55 C	+ 150 C	30 V	螺钉安装		Tube																				Single																																	IGBT硅模块
FP75R12KT3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	53 In Stock	1: ¥562.202893 10: ¥530.380083 100: ¥500.358570 500: ¥472.036390 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	NO	24	SILICON	105A	7									-40°C~125°C		2014		no	活跃	不适用	35	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	35	R-XUFM-X35	不合格		三相逆变器			ISOLATED		355W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard				1mA	1200V			340 ns	2.15V @ 15V, 75A			610 ns	沟渠现场停车						有		5.3nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FS300R12KE4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2006 In Stock	1: ¥3,141.463324 10: ¥2,963.644648 100: ¥2,795.891173 500: ¥2,637.633185 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Screw	底座安装	Module	29	SILICON	6										-40°C~150°C		2002	EconoPACK™+	no	不用于新设计	1 (Unlimited)	29	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	29		不合格		三相逆变器			ISOLATED		1600W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.2kV	450A		3mA	1200V			240 ns	2.1V @ 15V, 300A			720 ns	沟渠现场停车						有		18.5nF @ 25V							ROHS3 Compliant	含铅
APTGT200DU120G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	7	SP6	1.7 V	280 A	500 nA	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	280 A	APTGT200	活跃	1.2 kV					Details	1200 V	890 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-						150 °C	-40 °C		890 W									双共源	Dual	890				890 W				Standard	1.2 kV	280 A		350 µA	1200 V	14 nF			2.1V @ 15V, 200A		280		沟渠现场停车						无		14 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APT85GR120B2	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-247-3	T-MAX™	3.5 V	170 A	+ 150 C	250 nA	30 V	通孔	1	0.211644 oz	微芯片技术	Tube	170 A	APT85GR120	活跃	600V, 85A, 4.3Ohm, 15V								Details	1.2 kV	962 W	- 55 C	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																		Single		962		Standard		962 W									1200 V				3.2V @ 15V, 85A		170		NPT		660 nC	340 A	43ns/300ns	6mJ (on), 3.8mJ (off)					IGBT硅模块
FS400R07A3E3BOMA1	Infineon Technologies	数据表	2865 In Stock	1: ¥2,971.710171 10: ¥2,803.500157 100: ¥2,644.811468 500: ¥2,495.105159 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26 Weeks																			活跃	1 (Unlimited)									未说明		未说明																																										ROHS3 Compliant
APTGT25X120T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3-32	SP3	1.7 V	40 A	400 nA	底座安装	1	Bulk	微芯片技术	40 A	APTGT25	活跃								Details	1.2 kV	156 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																		3-Phase		156				156 W				Standard				250 µA	1200 V				2.1V @ 15V, 25A		40		沟渠现场停车						有		1.8 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT100H60T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP-3	32	SP3	1.5 V	150 A	400 nA	底座安装	1	12.822085 oz	微芯片技术	Bulk	150 A	APTGT100	活跃	600 V	225 ns					Details	600 V	340 W	- 40 C	+ 175 C	20 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-						175 °C	-40 °C		340 W									全桥		340			115 ns	340 W				Standard	600 V	150 A	- 40 C to + 175 C	250 µA	600 V	6.1 nF			1.9V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车						有		6.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块	11.5 mm	73.4 mm	40.8 mm	无		无铅
FF1200R17KE3NOSA1	Infineon Technologies	数据表	880 In Stock	1: ¥5,328.525898 10: ¥5,026.911223 100: ¥4,742.369078 500: ¥4,473.933092 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	Screw	底座安装	Module	10	SILICON	2V								1.7kV	2	-40°C~125°C		2002		no	不用于新设计	1 (Unlimited)	10	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED				10				单斩波器	Dual	5.95kW	ISOLATED		595000W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.7kV	1.6kA		5mA	1700V			1050 ns	2.45V @ 15V, 1200A			2100 ns							无		110nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
APTGLQ150H120G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	2.05 V	250 A	240 nA	1	3.880136 oz	Bulk	微芯片技术	250 A	APTGLQ150	活跃								1200 V	750 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																		Quad						750 W				Standard				100 µA	1200 V				2.4V @ 15V, 150A				沟渠现场停车						无		8.8 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FP30R06KE3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	7 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	Tin	Screw	底座安装	Module	24	SILICON							37A	7		-40°C~150°C		2002		no	活跃	不适用	24	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	24		不合格		三相逆变器			ISOLATED		125W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard	600V	37A		1mA				170 ns	2V @ 15V, 30A			750 ns	沟渠现场停车						有		1.65nF @ 25V			17mm	107.5mm	45mm		符合RoHS标准	含铅
FZ1000R33HE3BPSA1	Infineon Technologies	数据表	987 In Stock	1: ¥8,623.016211 10: ¥8,339.474094 25: ¥8,281.503567 50: ¥8,223.936014 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks	底座安装	Module	NO	7	SILICON	1000A	2									-40°C~150°C		2002			活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED								单开关			ISOLATED			电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	3300V			1150 ns	3.1V @ 15V, 100A			3550 ns	沟渠现场停车						无		190nF @ 25V							ROHS3 Compliant	含铅
FF300R06KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2168 In Stock	1: ¥816.466724 10: ¥770.251625 100: ¥726.652480 500: ¥685.521204 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON				400A	2							-40°C~150°C		2002		yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99					UPPER	UNSPECIFIED				7	R-XUFM-X7			2 Independent	Dual		ISOLATED		940W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	600V			190 ns	1.9V @ 15V, 300A			600 ns	沟渠现场停车						无		19nF @ 25V							符合RoHS标准	无铅