Microchip Technology APTGLQ75H65T1G

包装/外壳

SP1-12

安装类型

通孔

供应商器件包装

SP1

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85 V

Continuous Collector Current at 25 C

100 A

Gate-Emitter Leakage Current

200 nA

Pd - Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

150 A

Base Product Number

APTGLQ75

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

,

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGLQ75H65T1G

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.73

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

Reach合规守则

compliant

配置

全桥

功率 - 最大

250 W

输入

Standard

最大集极截止电流

100 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

最大耗散功率(Abs)

250 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 75A

集电极电流-最大值(IC)

150 A

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

650 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

4.62 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.3 V

产品

IGBT硅模块